半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构及其制备方法，通过利用SiC取代传统的SOI中的埋氧层而制得的半导体衬底。一方面，由于SiC具有较大的带隙，因而位于表层硅薄膜下的SiC层可以作为优良的低漏电流层；另一方面，由于SiC具有较高的热传导率，故可以降低器件的自发热，从而使得衬底同时具有良好的导热性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设计及其制造领域，特别涉及一种用于半导体衬底的。
技术介绍
SOI (Semiconductor-on-Insulator,绝缘体上半导体)是在半导体层之下设置埋氧层(Buried Oxide Layer, BOX) 0相对于传统的硅衬底，SOI衬底由于其埋氧层的良好绝缘性而具备低漏电流的特性，因而被广泛应用于半导体行业。但是现有的SOI衬底也存在以下问题S0I衬底中的含埋氧层氧化硅的热传导性相对于硅更低，故导致SOI器件的散热困难，而SOI器件的自发热状态可导致器件性能降低。因此，有必要研制既具有较低的漏电流又具有良好的导热性能的半导体衬底。
技术实现思路
本专利技术的目的旨在至少解决上述技术问题之一，特别是提供一种具有较低的漏电流和良好的热传导性的半导体衬底及其制备方法。为达到上述目的，一方面，本专利技术提供一种半导体结构，包括半导体衬底；覆盖在所述半导体衬底表面的碳化硅(SiC)膜；以及覆盖在所述SiC膜表面的半导体膜。另一方面，本专利技术提供一种上述半导体结构的制备方法，包括以下步骤提供第一半导体衬底；在所述第一半导体衬底上形成碳化硅膜；在所述碳化硅膜上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括 半导体衬底；覆盖在所述硅衬底表面的碳化硅膜；以及覆盖在所述碳化硅膜表面的半导体膜。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述碳化硅膜的厚度为lO-lOOOnm。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体膜的厚度为lO-lOOnm。4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底和半导体膜的材料包括晶体Si。5.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤 提供第一半导体衬底；在所述第一半导体衬底上形成碳化硅膜； 在所述碳化硅膜上形成半导体膜。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一半导体衬底上形成碳化硅膜的步骤，包括采用智能剥离技术在所述半导体衬底上形成碳化硅膜；或者提供碳化硅衬底，将所述碳化硅衬底键和到所述半导体衬底上，并打薄所述碳化硅衬底，使其在所述第一半导体衬底的表面形成碳化硅膜。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述采用智能剥离技术在所述半导体衬底上形成碳化硅膜的步骤包括提供碳化硅衬底；向碳化硅衬底注入氢离子；在所述第一半导体衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海洲，骆志炯，朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：