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本发明提供一种半导体结构及其制备方法，通过利用SiC取代传统的SOI中的埋氧层而制得的半导体衬底。一方面，由于SiC具有较大的带隙，因而位于表层硅薄膜下的SiC层可以作为优良的低漏电流层；另一方面，由于SiC具有较高的热传导率，故可以降低器...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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