Cu(In,Al)Se2薄膜的制备工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种Cu(In，Al)Se2薄膜的制备工艺，包括如下步骤：(1)靶材的准备；(2)室温Cu-In-Al交替溅射沉积，在此过程中，通过控制溅射气压、溅射距离、溅射功率、不同的溅射顺序控制CIA预制层中各元素的比例；(3)退火处理；(4)硒化处理：对退火后的预制层进行硒化处理，在Se气氛中硒化形成黄铜矿结构的Cu(In，Al)Se2多晶薄膜。本发明专利技术采用常温下溅射沉积得到CIA预制层；继而对其进行退火和硒化处理，获得黄铜矿结构的Cu(In，Al)Se2多晶薄膜，而且其在靶材的制备及磁控溅射设备的成本方面节约了成本，从而使Cu(In，Al)Se2薄膜的制备成本大大降低。

【技术实现步骤摘要】
,Al)Se₂薄膜的制备工艺的制作方法
本专利技术涉及薄膜材料，尤其涉及一种铜铟铝硒，ADSe2薄膜的制备工艺。技术背景铜铟硒(Cdr^e2)类薄膜太阳能电池由于材料较佳的光学能隙(Eg)、高吸收率 (105/cm)、很强的抗辐射能力和长期稳定的性能而备受人们关注，其生产也正趋于工业化， 因而如何降低生产成本和提高电池的转换效率成为研究的重点。其中，吸收层材料是影响电池光电转化率的关键因素。研究发现，通过用( 和Al 部分替代^进行调节，可获得较宽的禁带宽度和较高的太阳光谱匹配度。Al元素的掺入使 CuInSe2类太阳电池的禁带宽度比( 掺入的太阳电池具有更宽的范围，所对应的Eg变化范围是1.0-2. 7eV。因此，, Al) 薄膜同样具有提高Cuhk2类太阳电池的性能的作用。具有较宽Eg变化范围的，A1)S%能够利用相同的材料，通过控制薄膜中铝的比例，制成吸收各种不同能量的光的Cu (In，Al) 薄膜，从而提高电池的吸收效率，而且还可以降低材料的成本。这里就采用Al来部分的替代In，形成，Al) Se2混溶晶体材料。目前绝大多数的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周丽梅，武素梅，薛钰芝，
申请(专利权)人：大连交通大学，
类型：发明
国别省市：