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本发明涉及一种Cu(In，Al)Se2薄膜的制备工艺，包括如下步骤：(1)靶材的准备；(2)室温Cu-In-Al交替溅射沉积，在此过程中，通过控制溅射气压、溅射距离、溅射功率、不同的溅射顺序控制CIA预制层中各元素的比例；(3)退火处理；(...
该专利属于大连交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连交通大学授权不得商用。

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