由有机硅低环开环操作生产DMC原料的方法技术

本发明专利技术涉及DMC原料的生产方法，特别是一种利用有机硅低环开环技术由有机硅低环开环操作生产DMC原料的方法。其步骤是：将低环物料由低环贮罐输送到反应釜；将物料升温至65℃，静置一段时间进行分层，排尽下层酸水；加入KOH催化剂，控制温度在65℃—100℃，进行D3开环；取样观察开环料状态，达到要求之后补加水；将反应釜内的物料输送至贮罐，等待裂解、精馏制取DMC。本发明专利技术通过KOH催化剂、温度控制、加水等手段，使低环中的D3尽量开环，从而得到一种含少量D3的低粘度的物料，用于裂解、精馏制取DMC。本发明专利技术操作性强，既能降低生产DMC的成本，又能增加DMC的产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及DMC原料的生产方法，特别是一种利用有机硅低环开环技术由有机硅低环开环操作生产DMC原料的方法。
技术介绍
公知的有机硅DMC生产过程是有机硅单体二甲基二氯硅烷(简称二甲)进行水解去氯，得到二甲的水解物，该水解物经过真空裂解重排、精馏过程，得到一种以D4、D5为主的有机硅主产品DMC。公知的有机硅低环产生过程是下水解物经过真空裂解重排，得到裂解物硅氧烷混合环体(主要由D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9等成分组成)。该混合环体在精馏系统去除D3 和D3前组分的过程中，形成了一种以D3为主，含少量D4的物料——有机硅低环物料。DMC与有机硅低环物料比较，DMC品质高，用途广，售价高。如将有机硅低环物料以副产物直接出售，显然是不经济的。而利用有机硅低环物料重新制取DMC，需要解决低环因沸点低，在返回高温真空裂解釜中无法进行裂解重排(主要是该物料沸点低，在高温真空裂解釜停留时间太短)的问题。否则会造成大量的D3不能裂解重排形成D4、D5，导致DMC单程转化率太低，成本较高。如先将低环中的D3开环后再用于裂解、精馏制取DMC，必须保证开环物料粘度要低(分子链长较短)，便于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李索海，张建明，李允浩，陈春江，郭佺，刘秀芸，王宝喜，郭文涛，
申请(专利权)人：唐山三友硅业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：