测量CCD芯片暗信号非均匀性和光子响应非均匀性的方法技术

本发明专利技术公开了一种测量CCD芯片暗信号非均匀性和光子响应非均匀性的方法。主要解决目前对CCD的性能参数测量精确度不够的问题。其实现步骤为：选取CCD芯片量子效率最大所对应的波长η，设置波长可调的单色均匀光源系统，产生波长为η的单色光；然后选取使CCD芯片50％曝光所对应的积分时间，以该积分时间作为参数控制CCD芯片拍摄两组图像序列上传至计算机；根据这两组图像计算总的平均灰度值和空间方差计算出CCD芯片的暗信号非均匀性DSNU和光子响应非均匀性PRNU参数，本发明专利技术具有测量精度高、稳定性好的优点。可用于对CCD芯片性能的评估。

【技术实现步骤摘要】
测量CCD芯片暗信号非均匀性和光子响应非均匀性的方法
本专利技术属于测量
，具体涉及对CCD芯片暗信号非均勻性DSNU和光子响应非均勻性PRNU参数的测量，用于CCD芯片的研制、评估及筛选。
技术介绍
在CXD芯片的研制和应用当中，由于加工和测量技术的限制，导致CXD芯片的实际量子效率与响应度参数和厂商给出的测量值具有一定的差异，而在一些关键应用领域，需要定量了解CCD芯片的实际性能参数，从而对采集到得数据进行合理的校正，得到更好更准确的数据。因此，有必要提出一种方法来有效的测量CCD芯片的暗信号非均勻性和光子响应非均勻性参数，通过这两个性能参数，对CCD输出数据进行处理，得到更切合实际的数据。传统的CCD芯片暗信号非均勻性和光子响应非均勻性参数的测量均采用宽光谱光源作为光源，无法排除最终测量参数中与光谱相关的因素的影响，导致测量所得参数中含有光谱相关的信息，而且目前的测量方法一般将CCD芯片放置在常温环境下进行测量， 没有对CCD芯片工作的环境温度进行考虑，导致测量的参数与CCD芯片处于特定工作环境下时的实际参数有一定差异。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对上述已有技术的不足，提出一种测量CCD芯片暗信号非均勻性DSNU和光子响应非均勻性PRNU的方法，通过使用单色光照明，筛选采集到的原始数据，实现对CCD芯片暗信号非均勻性DSNU和光子响应非均勻性PRNU参数的测量，并提高测量精度。为实现上述目的，本专利技术包括如下技术方案(1)将待测CXD芯片放置在开有入射窗的杜瓦瓶温控室当中，将CXD芯片与控制电路对应接口相连，该控制电路用于控制CXD芯片成像；(2)在距CXD芯片80cm处放置波长可调单色均勻光源系统，该光源系统发出的单色光直接照射到CCD和标定好的探测器上面；(3)通过快门装置或CXD芯片自带的电子快门调整CXD芯片的积分时间，控制CXD 芯片的曝光量；(4)以CXD芯片量子效率最大所对应的波长η为参数，设置光源系统使其产生单色光；(5)根据CXD芯片的实际工作环境温度，选取温度参数调节杜瓦瓶温控室，使CXD 芯片处在一个80Κ到常温之间的恒定温度下工作；(6)选用使C⑶芯片50%曝光所对应的积分时间，对入射光拍摄L张亮图像，记为亮图像序列yl，成像张数L视测量精度要求确定；(7)关闭快门，使用步骤(6)中确定的积分时间，拍摄L'张暗图像，记为暗图像序列y2 ；(8)对亮图像序列yl求其总的灰度平均值P ！和空间方差彳权利要求1. 一种测量CCD芯片暗信号非均勻性和光子响应非均勻性的方法，包括如下步骤(1)将待测CXD芯片放置在开有入射窗的杜瓦瓶温控室当中，将CXD芯片与控制电路对应接口相连，该控制电路用于控制CCD芯片成像；(2)在距CCD芯片80cm处放置波长可调单色均勻光源系统，该光源系统发出的单色光直接照射到CCD和标定好的探测器上面；(3)通过快门装置或CXD芯片自带的电子快门调整CXD芯片的积分时间，控制CXD芯片的曝光量；(4)以CCD芯片量子效率最大所对应的波长η为参数，设置光源系统使其产生单色光；(5)根据CCD芯片的实际工作环境温度，选取温度参数调节杜瓦瓶温控室，使CCD芯片处在一个80K到常温之间的恒定温度下工作；(6)选用使CCD芯片50%曝光所对应的积分时间，对入射光拍摄L张亮图像，记为亮图像序列yl，成像张数L视测量精度要求确定；(7)关闭快门，使用步骤(6)中确定的积分时间，拍摄L'张暗图像，记为暗图像序列y2 ；(8)对亮图像序列yl求其总的灰度平均值μ！和空间方差彳全文摘要本专利技术公开了一种测量CCD芯片暗信号非均匀性和光子响应非均匀性的方法。主要解决目前对CCD的性能参数测量精确度不够的问题。其实现步骤为选取CCD芯片量子效率最大所对应的波长η，设置波长可调的单色均匀光源系统，产生波长为η的单色光；然后选取使CCD芯片50％曝光所对应的积分时间，以该积分时间作为参数控制CCD芯片拍摄两组图像序列上传至计算机；根据这两组图像计算总的平均灰度值和空间方差计算出CCD芯片的暗信号非均匀性DSNU和光子响应非均匀性PRNU参数，本专利技术具有测量精度高、稳定性好的优点。可用于对CCD芯片性能的评估。文档编号G01R31/26GK102508144SQ20111032986公开日2012年6月20日 申请日期2011年10月26日 优先权日2011年10月26日专利技术者卢光旭, 吕斐, 张临临, 杨晓晖, 王杨, 王阳, 范华, 许宏涛, 邵晓鹏, 马菁汀 申请人:西安电子科技大学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邵晓鹏，王阳，张临临，王杨，杨晓晖，范华，卢光旭，马菁汀，吕斐，许宏涛，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：