【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成电路制造技术，具体涉及一种集成电路制造缓冲高温工艺中应用的方法。
技术介绍
在半导体集成电路芯片制造中，薄膜沉积、蚀刻以及晶圆高温处理都是形成器件必不可少的工艺过程。薄膜的沉积工艺本身也需要一定的温度，因此在降温到常温后，薄膜内部就存在一定的应力，根据薄膜的密度和沉积温度，对硅片和上下层膜起到拉伸或挤压的作用。这样的薄膜若经过蚀刻，膜层不再完整，那么之后在高温工艺下，局部应力有可能释放出来，造成整个膜层在结合不太牢固的层次剥离，形成缺陷。由于高温工艺是针对整片晶圆的，此种缺陷会在整个晶圆表面广泛存在，若不加以消除将对产品的良率有很大影响。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，它可以解决现有技术中高温工艺造成的薄膜应力释放而剥离的缺陷问题。为了解决以上技术问题，本专利技术提供了一种，包括以下步骤步骤一、在晶圆上沉积一层或多层膜结构；步骤二、进行涂胶、光刻、蚀刻，形成器件所需要的图形；步骤三、完成700°C以下的非高温工艺；步骤四、沉积一层或多层膜结构；步骤五、700°C以上高温激活掺杂离子；步骤六、湿法剥去高温工艺前所沉积的膜。本专利技术的有益效果在于通过在高温工艺之前沉积一层或多层膜，由于此时沉积的薄膜覆盖于整个晶圆的表面，下层薄膜的内部应力的释放将加之于整片晶圆之上，因此不易出现膜层的剥离并形成缺陷。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。图1是通过沉积、光刻、蚀刻，完成前膜的图形，接着完成离子注入等非高温工艺的示意图；图2是沉积保护膜层，高温工艺处理激活注入离子的示意图；图3是湿法剥去保护膜...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种缓冲高温工艺中薄膜局部应力释放的方法，其特征在于，包括以下步骤 步骤一、在晶圆上沉积一层或多层膜结构；步骤二、进行涂胶、光刻、蚀刻，形成器件所需要的图形； 步骤三、完成700°C以下的非高温工艺； 步骤四、沉积一层或多层膜结构； 步骤五、700°C以上高温激活掺杂离子； 步骤六、湿法剥去高温工艺前所沉积的膜。2.如权利要求1所述的缓冲高温工艺中薄膜局部应力释放的方法，所述步骤四中沉积的膜结构可以为氧化硅。3.如权利要求2所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑜，孙尧，罗啸，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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