固体电解电容器及固体电解电容器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种固体电解电容器及固体电解电容器的制造方法。该固体电解电容器具有：阳极体；电介质被膜，其覆盖阳极体的表面；导电性高分子层，其设置在电介质被膜上；防水部，其设置在未与导电性高分子层接触的电介质被膜上，并且含有硅油。

【技术实现步骤摘要】
固体电解电容器及固体电解电容器的制造方法
本专利技术涉及固体电解电容器及固体电解电容器的制造方法。
技术介绍
以往以来，作为适于小型化的电容器，广泛公知有作为电解质具有导电性高分子层的固体电解电容器。在这样的固体电解电容器中，为了进一步实现大容量化，采用如下技术，即，通过对由金属箔构成的阳极体的表面进行蚀刻或通过将金属的烧结体形成为阳极体，从而增大阳极体的表面积。例如，在日本特开平7-122464号公报中公开了如下技术，即，通过对钽的烧结体的表面进行阳极氧化而在烧结体的表面形成由钽氧化物构成的电介质被膜，在该电介质被膜上形成导电性高分子层而制造固体电解电容器。此外，在上述公报中，公开了由导电性高分子层完全覆盖形成在烧结体的表面的细微孔内的技术。然而，根据本专利技术人等的研究得知，在利用导电性高分子层将阳极体的细微孔内完全覆盖方面存在困难，电介质被膜的一部分未被导电性高分子层覆盖而露出。对于这样的固体电解电容器而言，在例如放置于高湿度的环境下的情况下，外部的水分向固体电解电容器的内部浸透并扩散而与电介质被膜直接接触，由此存在固体电解电容器的容量增加的问题。这种容量根据环境而变化的固体电解电容器的可靠性低。
技术实现思路
因此，鉴于上述情况，本专利技术的目的在于提供一种抑制容量变化的可靠性高的固体电解电容器及其制造方法。本专利技术的第一方案的固体电解电容器具有：阳极体；电介质被膜，其覆盖所述阳极体的表面；导电性高分子层，其设置在电介质被膜上；防水部，其设置在未与导电性高分子层接触的电介质被膜上，并且含有硅油。本专利技术的第二方案的固体电解电容器的制造方法包括：在阳极体的表面形成电介质被膜的工序；在电介质被膜上形成导电性高分子层的工序；在导电性高分子层上形成阴极层的工序，在至少形成导电性高分子层的工序后，具有在电介质被膜上形成含有硅油的防水部的工序。根据本专利技术，能够提供容量变化被抑制的可靠性高的固体电解电容器及其制造方法。附图说明图1是实施方式1的固体电解电容器的示意剖视图。图2是表示实施方式1的固体电解电容器的阳极体的表面的示意剖视图。图3是表示实施方式1的固体电解电容器的制造方法的一例的流程图。图4是对实施方式1的固体电解电容器的制造方法的一例进行图解的示意剖视图。图5是表示在实施方式1的固体电解电容器的制造方法中形成防水部前的阳极体的表面的示意剖视图。图6是表示实施方式2的固体电解电容器的制造方法的一例的流程图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的固体电解电容器的实施方式进行说明。以下的实施方式仅为一例，在本专利技术的范围内可以实施各种实施方式。需要说明的是，在本专利技术的附图中，同一参照符号表示同一部分或与其相当的部分。<实施方式1>《固体电解电容器》图1表示实施方式1的固体电解电容器的示意剖视图。在图1中，固体电解电容器100具备电容器元件，该电容器元件具有：竖立设置有阳极引线12的阳极体11；覆盖阳极体11表面的电介质被膜13；设置在电介质被膜13上的导电性高分子层14；依次设置在导电性高分子层14上的、作为阴极层的碳层15及银涂层16。在该电容器元件的阳极引线12上连接有阳极端子17，在银涂层16上经由由导电性粘接剂构成的粘接层18连接有阴极端子19。并且，以使阳极端子17的一部分及阴极端子19的一部分露出的方式通过外装树脂20密封电容器元件10。图2是示出实施方式1的固体电解电容器的阳极体的表面的示意剖视图。如图2所示，阳极体11在表面具有凹部，该凹部表面也被电介质被膜13覆盖。此外，在电介质被膜13上设置有导电性高分子层14，在导电性高分子层14与电介质被膜13未接触的部分设置有防水部21，在该部分电介质被膜13与防水部21相接触。即，电介质被膜13的表面由导电性高分子层14和防水部21覆盖。在防水部21含有硅油。需要说明的是，对硅油的详细情况将在后面进行叙述。《固体电解电容器的制造方法》图3是表示实施方式1的固体电解电容器的制造方法的一例的流程图，图4是图解实施方式1的固体电解电容器的制造方法的一例的示意剖视图。以下，参照图2～图4对实施方式1的固体电解电容器的制造方法的一例进行说明。(形成阳极体的工序)首先，如图4(A)所示，在图3的步骤S1中形成阳极体11。例如，准备金属粉末，在将棒状体的阳极引线12的长度方向的一端侧埋入金属粉末中的状态下，将该金属粉末成形为期望的形状。接下来，烧结该成形体，形成埋设有阳极引线12的一端的多孔质结构的阳极体11。因此，阳极体11成为在表面具有多个凹部的形状。对于阳极体11的材料没有特定的限制，从电介质被膜13容易形成的角度考虑，优选使用铝、钽、铌等阀金属。此外，对于阳极引线12的材料也没有特定的限制，但从与阳极体51同样的观点考虑，优选使用阀金属。使与用其他阀金属例如铌或铝等的粉末的情况相比，使用钽粉末形成阳极体11的方式能够得到高强度的电介质被膜13，因此优选使用钽。(形成电介质被膜的工序)接下来，如图4(B)所示，在图3的步骤S2中，在阳极体11的表面形成电介质被膜13。对于电介质被膜13的形成方法没有特定的限制。例如，在阳极体由阀金属构成的情况下，通过对阳极体11进行化成处理，能够在阳极体11的表面形成电介质被膜13。作为化成处理，例如可以将阳极部11浸渍到己二酸铵溶液等的化成液中并进行热处理，或者将阳极体11浸渍到化成液中并施加电压。通过本工序，能够由电介质被膜13覆盖阳极体11的表面。(形成导电性高分子层的工序)接下来，如图4(C)所示，在图3的步骤S3中，在电介质被膜13上形成导电性高分子层14。导电性高分子层14可以由化学聚合法或电解聚合法形成。对于通过化学聚合法形成导电性高分子层14的方法没有特定的限制。例如，可以将形成有电介质被膜13的阳极体11浸渍到含有导电性高分子层14的前体单体、氧化剂、掺杂剂的聚合液中，并在电介质被膜上使前体单体氧化聚合，由此形成导电性高分子层14。此外，也可以例如在将阳极体11浸渍到前体单体后，将其浸渍到含有氧化剂或掺杂剂的溶液中。另外，也可以使用含有前体单体的气体。此外，对于通过电解聚合法形成导电性高分子层14的方法没有特定的限制。例如，将阳极体11浸渍到含有前体单体及掺杂剂的电解液中，并在电介质被膜13上使前体单体电解聚合，由此形成导电性高分子层14。另外，优选在进行电解聚合法前，在阳极体11的表面上预先设置导电性的滤料层。前体单体是通过聚合成为聚吡咯、聚噻吩、聚呋喃或聚苯胺的化合物。需要说明的是，在本说明书中，聚吡咯、聚噻吩、聚呋喃及聚苯胺分别表示以聚吡咯、聚噻吩、聚呋喃及聚苯胺为基本骨架的高分子。因此，在聚吡咯、聚噻吩、聚呋喃及聚苯胺中可以包含各自的衍生物。例如，作为前体单体，可以使用3，4-乙烯二氧噻吩、3-烷基噻吩、N-甲基吡咯、N，N-二甲基苯胺、N-烷基苯胺等。氧化剂只要能够使前体单体聚合即可，例如可以使用硫酸、过氧化氢、铁(III)、铜(II)、铬(VI)、铈(IV)、锰(VII)、锌(II)等。特别是，构成所述的金属和盐的芳香族磺酸金属盐不仅具有作为氧化剂的功能，还具有作为掺杂剂的功能，因此可以优选使用。作为芳香族磺酸金属盐例如可以使用萘磺酸金属盐、四氢化萘磺酸金属盐、烷基苯磺酸金属盐和烷氧基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2010.11.30 JP 2010-2665251.一种固体电解电容器，其具有：阳极体；电介质被膜，其覆盖所述阳极体的表面；导电性高分子层，其设置在所述电介质被膜上；防水部，其设置在未与所述导电性高分子层接触的所述电介质被膜上，且被所述导电性高分子层和所述电介质被膜包围，并且含有硅油。2.根据权利要求1所述的固体电解电容器，其中，所述硅油是聚合度为2以上2000以下的低聚物。3.根据权利要求1所述的固体电解电容器，其中，所述硅油由从十甲基环戊硅氧烷、十二甲基环己硅氧烷、十四甲基环庚硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷、十四甲基六硅氧烷组成的组选出的至少一种构成。4.根据权利要求1所述的固体电解电容器，其中，所述阳极体在表面具有凹部，所述防水部设置在覆盖所述凹部的所述电介质被膜上。5.根据权利要求1所述的固体电解电容器，其中，所述阳极体由金属的烧结体构成。6.一种固...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部洋辅，古泽厚志，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：