半导体晶片镀金鼓泡装置。涉及对半导体晶片的镀金装置的改进。提供了一种能使晶片与镀液充分、均匀地接触，进而使镀层均匀一致的半导体晶片镀金鼓泡装置。包括镀槽和晶片支撑架，还包括迂回设置在所述镀槽内底部的连接氮气源的气管和设置在气管上部的石英板。在原有基础上增加了气管和石英板，同时在气管与石英板上开设气孔与通孔，可以由下向上在镀液中形成冲击气泡，在镀金过程中持续鼓泡使得晶片在镀金槽中和金水能得到充分的接触，从而获得均匀的镀层。在通孔下孔口开设倒角可以达到快速聚气的效果，上孔口开设倒角可以使得镀液分散均匀的镀在晶体表面。提高了劳动效率，使得晶片表面镀金更加均匀，外观颜色一致，使用效果更好。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
半导体晶片镀金鼓泡装置
本技术涉及对半导体晶片的镀金装置的改进。 技术背景片状半导体产品制程中，晶片的镀金工艺往往用到人工提刷工序。人工提刷不但增加人员劳动力，且不同的人员作业手法不相一致，即使相同的人员不同时间的手法也不尽相同，故镀金后的外观效果有一定的差异，常常会有镀金颜色不均勻现象出现，成品晶粒的外观不良，很大程度上影响到焊接效果，故改善晶片的镀金外观在晶片镀金工艺中显得十分重要。
技术实现思路
本技术针对以上问题，提供了一种能使晶片与镀液充分、均勻地接触，进而使镀层均勻一致的半导体晶片镀金鼓泡装置。本技术的技术方案是包括镀槽和晶片支撑架，还包括迂回设置在所述镀槽内底部的连接氮气源的气管和设置在气管上部的石英板；所述气管的上部开设有若干气孔，所述石英板上开设有若干通孔；所述晶片支撑架放置在所述石英板顶面上。所述若干气孔与所述若干通孔的一一对位。所述通孔的下孔口开设有倒角。所述通孔的上孔口开设有倒角。本技术在原有基础上增加了气管和石英板，同时在气管与石英板上开设气孔与通孔，可以由下向上在镀液中形成冲击气泡，在镀金过程中持续鼓泡使得晶片在镀金槽中和金水(镀液)能得到充分的接触，从而获得均勻的镀层。在通孔下孔口开设倒角可以达到快速聚气的效果，上孔口开设倒角可以使得镀液分散均勻的镀在晶体表面。本技术改善了原有手工镀金的不足之处，提高了劳动效率，最主要的是使得晶片表面镀金更加均勻，外观颜色一致，使用效果更好。附图说明图1是本技术的结构示意图，图2是图1中I处局部放大图；图中1是镀槽，2是晶片，21是晶片支撑架，3是石英板，31是通孔，4是气管，41是气孔，5是镀液。具体实施方式本技术如图广2所示，包括镀槽1和晶片支撑架21，还包括迂回设置在所述镀槽1内底部的连接氮气源的气管4和设置在气管4上部的石英板3 ；所述气管4的上部开设有若干气孔41，所述石英板3上开设有若干通孔31 ；所述晶片支撑架21放置在所述石英板3顶面上。气管4可以是一根较长的的铁氟龙管盘旋成圆盘状(镀槽1为圆形时)或者S 形曲折状(镀槽1为矩形或正方形时)，大小控制在恰好能放置在镀金槽的底部。气管4的多出来的另一头要足够长，因为要接入氮气，氮气流量要调节至有很多水泡出现，一般设为 6L/min。气孔41孔径不要太大，针头大小即可。石英板3可以固定在镀槽1中下部，晶片支撑架21下面，气管4上面。所述若干气孔41与所述若干通孔31的一一对位。对位可以保证氮气的持续鼓泡使得晶片在镀槽1中和金水能得到充分的接触。所述通孔31的下孔口开设有倒角。下倒角的开设可以快速的实现聚气，提高工作效率。所述通孔31的上孔口开设有倒角。上倒角的开设可以使得氮气气泡分布在更大的面积上，从而能够更加均勻地堆产品镀金。权利要求1.半导体晶片镀金鼓泡装置，包括镀槽和晶片支撑架，其特征在于，还包括迂回设置在所述镀槽内底部的连接氮气源的气管和设置在气管上部的石英板；所述气管的上部开设有若干气孔，所述石英板上开设有若干通孔；所述晶片支撑架放置在所述石英板顶面上。2.根据权利要求1所述的半导体晶片镀金鼓泡装置，其特征在于，所述若干气孔与所述若干通孔的一一对位。3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片镀金鼓泡装置，其特征在于，所述通孔的下孔口开设有倒角。4.根据权利要求1或2所述的半导体晶片镀金鼓泡装置，其特征在于，所述通孔的上孔口开设有倒角。专利摘要半导体晶片镀金鼓泡装置。涉及对半导体晶片的镀金装置的改进。提供了一种能使晶片与镀液充分、均匀地接触，进而使镀层均匀一致的半导体晶片镀金鼓泡装置。包括镀槽和晶片支撑架，还包括迂回设置在所述镀槽内底部的连接氮气源的气管和设置在气管上部的石英板。在原有基础上增加了气管和石英板，同时在气管与石英板上开设气孔与通孔，可以由下向上在镀液中形成冲击气泡，在镀金过程中持续鼓泡使得晶片在镀金槽中和金水能得到充分的接触，从而获得均匀的镀层。在通孔下孔口开设倒角可以达到快速聚气的效果，上孔口开设倒角可以使得镀液分散均匀的镀在晶体表面。提高了劳动效率，使得晶片表面镀金更加均匀，外观颜色一致，使用效果更好。文档编号H01L21/445GK202259192SQ20112038857公开日2012年5月30日 申请日期2011年10月12日 优先权日2011年10月12日专利技术者汪曦凌, 裘立强 申请人:扬州杰利半导体有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：裘立强，汪曦凌，
申请(专利权)人：扬州杰利半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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