【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大致涉及一种离子植入系统，并且尤其涉及一种用于在离子植入系统中控制粒子污染的系统和方法。
技术介绍
在半导体元件和其它产品的制造过程中，离子植入系统用于将掺杂元素植入到半导体晶片、显示器面板或其它工件内。传统的离子植入系统或离子植入器利用离子束对工件进行处理，因而在工件中产生η-型或P-型掺杂区域，或形成钝化层。当用于掺杂半导体时，该离子植入系统注入选定的离子品种以产生所需的不纯材料。例如，从源材料(例如锑、砷或磷)产生的植入离子导致η型不纯材料晶片。或者，从源材料(例如硼、镓或铟) 产生的植入离子在半导体晶片中产生P型不纯材料部分。传统的离子植入系统包括离子源，该离子源离子化所需的掺杂元素，然后该掺杂元素被加速以形成预定能量的离子束。该离子束在工件的表面上引导，以将掺杂元素植入工件。离子束的能量离子渗入工件的表面，使得它们嵌入工件的材料的结晶晶格中，从而形成所需导电性的区域。典型地，植入过程在高真空处理室中进行，该高真空处理室防止离子束因撞击到残余气体分子而分散，并且可将工件因气载粒子所造成的污染的风险降至最低。离子剂量和能量是两项通常用来定义离子植...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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