用于最小发散离子束的调整装置制造方法及图纸

离子注入系统，具有配置成形成离子束的离子源。质量分析器对离子束进行质量分析，扫描元件在水平方向上扫描离子束，平行化透镜将成扇形散出的经扫描射束转化为平行移动扫描的离子束。对于不仅需要平均入射角度，还需要高度对齐的离子入射角度和紧密角度分布的应用，狭缝装置设置在平行化透镜的水平和/或垂直前焦点处。离子束在工件上的最小水平和/或垂直角度分布是通过控制扫描元件上游的射束聚焦透镜以获得通过狭缝系统的最佳射束传输来实现的。现的。现的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于最小发散离子束的调整装置
[0001]相关申请的引用
[0002]本申请要求2020年6月17日提交的美国临时申请63/040,131的优先权，其内容通过引用整体并入本文。


[0003]本专利技术总体上涉及离子注入系统，更具体地涉及在离子注入系统中控制离子束的射束角度的系统以及方法。

技术介绍

[0004]在半导体器件的制造中，离子注入用于在半导体中掺杂杂质或掺杂剂。离子束注入机用于用离子束处理硅晶圆，以便在集成电路制造过程中产生n型或p型非本征材料掺杂或形成钝化层。当用于掺杂半导体时，离子束注入机注入选定的非本征物质以生产所需的半导体材料。注入由诸如锑、砷或磷的源材料产生的离子会产生“n型”非本征材料晶圆，而如果需要“p型”非本征材料晶圆，则可以注入由诸如硼或铟的源材料产生的离子。
[0005]典型的离子束注入机包括用于从可电离源材料生成正电荷离子的离子源。生成的离子形成射束并沿着预定的射束路径被引导至注入站。离子束注入机可以包括在离子源和注入站之间延伸的射束形成和成形结构。射束形成和成形结构保持离子束并限定细长的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于将离子注入到工件中的离子注入系统，所述离子注入系统包括：离子源，其配置成生成离子束；质量分析器，其配置成对所述离子束进行质量分析；扫描元件，其配置成在水平方向上扫描所述离子束，其中所述离子束在所述水平方向和一垂直方向上各自具有相应的焦点；狭缝装置，其具有孔口，所述孔口选择性地设置在所述扫描元件的下游位于所述离子束的所述水平方向和垂直方向上的一个或多个相应焦点处；以及平行化光学器件，其设置在所述狭缝装置的下游并且配置成使所述离子束平行化，由此使得在所述水平方向和垂直方向中的一个或多个方向上的角度分布最小化。2.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述离子束包括笔形束或点束。3.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述狭缝装置包括板，在其中限定有所述孔口。4.根据权利要求3所述的离子注入系统，进一步包括转移装置，配置成选择性地设置所述板的位置。5.根据权利要求4所述的离子注入系统，其中，所述转移装置包括旋转装置，所述旋转装置配置成选择性地将所述板旋转进出所述离子束的路径。6.根据权利要求4所述的离子注入系统，其中，所述转移装置包括线性转移装置，所述线性转移装置配置成选择性地将所述板旋线性平移进出所述离子束的路径。7.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述扫描元件配置成限定成扇形散出的经扫描离子束。8.根据权利要求1所述的离子注入系统，还包括：四极透镜，设置在所述扫描元件上游；以及控制器，其中，所述扫描元件配置成在所述水平方向和垂直方向上提供所述离子束的角度分布，并且所述控制器配置成控制所述扫描元件、所述四极透镜和所述狭缝装置的所述孔口的位置中的一个或多个，以最大化所述离子束的射束电流，并最小化所述离子束在所述工件上的所述角度分布。9.根据权利要求1所述的离子注入系统，进一步包括控制器，所述控制器配置成控制所述离子源、所述质量分析器、所述扫描元件、所述狭缝装置以及所述平行化光学器件中的一或多个，以最大化所述离子束的射束电流并最小化所述离子束在所述工件上的角度分布。10.一种用于将离子注入到工件中的离子注入系统，所述离子注入系统包括：离子源，其配置成生成离子束；质量分析器，其配置成对所述离子束进行质量分析；扫描元件，其配置成从扫描顶点在水平方向上扫描...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒，
申请(专利权)人：艾克塞利斯科技公司，
类型：发明
国别省市：