具有附加热能耗散表面区域的能量过滤器的离子注入装置制造方法及图纸

一种离子注入装置(20)，包括能量过滤器(25)，能量过滤器(25)具有热能耗散表面区域，其中能量过滤器(25)包括膜，膜包括第一表面以及与第一表面相对设置的第二表面，第一表面是结构化表面。结构化表面。结构化表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有附加热能耗散表面区域的能量过滤器的离子注入装置
[0001]本申请要求于2020年5月15日提交的卢森堡专利申请LU 101807的优先权和权益。卢森堡专利申请LU 101807通过引用将其全部内容并入本文。


[0002]本专利技术涉及一种用于离子注入装置的设备，该设备包括用于离子注入的能量过滤器(注入过滤器)及其用途，以及一种注入方法。

技术介绍

[0003]离子注入是一种在材料(如半导体材料或光学材料)中掺杂或产生缺陷分布的方法，其可将深度分布预定义在几纳米至几十微米的深度范围内。这种半导体材料的实例包括但不限于硅、碳化硅、氮化镓。这种光学材料的实例包括但不限于LiNbO3、玻璃和PMMA。
[0004]当前所面临的需求包括为离子注入生成深度分布，其深度分布要比通过单能离子辐射可获得的掺杂浓度峰值或缺陷浓度峰值的深度分布更宽，或者需求包括生成掺杂或缺陷深度分布，且这些掺杂或缺陷深度分布不能由一个或几个简单的单能注入就生成。已知的用于产生深度分布的现有技术方法中，使用结构化能量过滤器，其中当单能离子束穿过微结构能量过滤器部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种离子注入装置(20)，其特征在于，包括能量过滤器(25)，其中所述能量过滤器(25)具有热能耗散表面区域，其中所述能量滤波器(25)包括膜，其具有第一表面和与所述第一表面相对设置的第二表面，所述第一表面是结构化表面。2.根据权利要求1所述的离子注入装置(20)，其特征在于，所述第一结构化表面或所述第二表面具有在其上的微结构，并且形成附加的热能耗散表面区域，其中所述微结构的空间尺寸在所述第一结构表面上的结构的空间维度的3
‑
5％之间。3.根据权利要求2所述的离子注入装置(20)，其特征在于，所述微结构具有随机排列的结构或具有三角形横截面的结构中的其中一个。4.根据权利要求1所述的离子注入装置(20)，其特征在于，所述能量过滤器(25)包括多个膜(400a
‑
c)，所述多个膜具有第一膜(400a
‑
1c)以及与第一膜(400a
‑
1c)隔开一距离设置的另一膜(400b
‑
c)。5.根据权利要求4所述的离子注入装置(20)，其特征在于，还包括离子束源(5)、衬底材料(30)和设置在所述离子束源5和所述衬底材料(30)之间的多个膜400a
‑
c。6.根据权利要求4或5所述的离子注入装置(20)，其特征在于，还包括定位元件(430)，其用以移动所述多个膜(400a
‑
c)中的其之间的间隔。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：弗洛里安，
申请(专利权)人：MI二工厂有限责任公司，
类型：发明
国别省市：