【技术实现步骤摘要】
离子注入机的靶盘撑杆
[0001]本技术涉及离子注入机
,尤其涉及一种离子注入机的靶盘撑杆。
技术介绍
[0002]离子注入机是集成电路制造工序中的关键设备,离子注入就是将所要注入的元素进行电离,并将正离子分离和加速,形成具有数万电子伏特的高能离子流,轰击硅片表面,离子因动能很大,被打入表层内,其电荷被中和,成为置换原子或晶格间的填隙原子,被留于表层中,使材料的化学成分、结构、性能产生变化。在硅片的制作过程中,需要将硅片放置在靶盘中对硅片进行离子注入,目前,高速离子束的冲击对靶盘造成较大的冲击,虽然采用了减震底座,降低了对靶盘的损伤,但靶盘撑杆易变形,靶盘内硅片易产生微裂纹,降低硅片的质量。
技术实现思路
[0003]本技术的目是解决上述技术问题,提供一种离子注入机的靶盘撑杆。
[0004]为了实现上述技术目的,达到上述的技术要求,本技术所采用的技术方案是:离子注入机的靶盘撑杆,包括第一连接座、第二连接座,其特征在于:所述第一连接座与第二连接座通过连接杆连接,所述连接杆中部设置有滑槽,所述滑槽上下方向对称设置有若干个腰形长槽;
[0005]腰形长槽深度Lc与连接杆厚度Lb之比为0.6~0.75;
[0006]腰形长槽底厚Ld与连接杆厚度Lb之比为0.25~0.4;
[0007]连接杆厚度Lb与连接杆长度L之比为1:36~1:44,
[0008]连接杆宽度La与连接杆长度L之比为1:11~1:13。
[0009]优选的,所述滑槽贯穿第一连接座、连接杆 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.离子注入机的靶盘撑杆,包括第一连接座(1)、第二连接座(5),其特征在于:所述第一连接座(1)与第二连接座(5)通过连接杆(2)连接,所述连接杆(2)中部设置有滑槽(4),所述滑槽(4)上下方向对称设置有若干个腰形长槽(3);腰形长槽深度Lc(9)与连接杆厚度Lb(8)之比为0.6~0.75;腰形长槽底厚Ld(10)与连接杆厚度Lb(8)之比为0.25~0.4;连接杆厚度Lb(8)与连接杆长度L(7)之比为1:36~1:44,连接杆宽度La(6)与连接杆长度L...
【专利技术属性】
技术研发人员:张律,
申请(专利权)人:芯禾科技江苏有限公司,
类型:新型
国别省市:
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