提供了一种离子注入装置(20)，其包括具有结构化膜的能量过滤器(25)，其中能量过滤器(25)吸收来自离子束的能量而加热，以及用于加热能量过滤器(26)的至少一个附加加热元件(50a

一种离子注入装置(20)，包括能量过滤器(25)，能量过滤器(25)具有热能耗散表面区域，其中能量过滤器(25)包括膜，膜包括第一表面以及与第一表面相对设置的第二表面，第一表面是结构化表面。结构化表面。结构化表面。

用于将粒子注入衬底(12)的设备包括粒子源(2)和粒子加速器(4)，用于产生包括带正电离子的离子束(10)。设备还包括衬底支架(30)和能量过滤器(20)，其设置在粒子加速器(4)和衬底支架(30)之间。能量过滤器(20)是具有预定的结...

本发明涉及用于在晶片中注入离子的方法和设备，具体公开了一种方法，包括使用穿过注入过滤器(6)的离子束(2)辐照晶片(8)，该离子束(2)在第一方向和第二方向上被静电偏转，以在晶片(8)上移动离子束(2)，并且注入过滤器(6)在第二方向上...

本发明涉及用于生产晶片的离子注入系统的能量过滤元件，具体涉及注入设备，注入系统和方法。注入设备包括过滤器框架和由该过滤器框架固定的过滤器，其中所述过滤器设计为由离子束照射。子束照射。子束照射。

公开了一种方法，包括使用穿过注入过滤器(6)的离子束(2)辐照晶片(8)，该离子束(2)在第一方向和第二方向上被静电偏转，以在晶片(8)上移动离子束(2)，并且注入过滤器(6)在第二方向上移动以配合离子束(2)的运动。

本发明涉及注入设备，注入系统和方法。注入设备包括过滤器框架和由该过滤器框架固定的过滤器，其中所述过滤器设计为由离子束照射。