【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及薄膜晶体管(TFT)。更具体地，本专利技术的实施方式涉及氧化物半导体薄膜晶体管以及制造氧化物半导体薄膜晶体管的方法。
技术介绍
最近，氧化物半导体薄膜晶体管已经作为开关元件或驱动元件而广泛用于诸如液晶显示(IXD)装置、有机发光显示(OLED)装置等显示装置中。具体地，氧化物半导体薄膜晶体管用于提供对施加至其栅极的高电压的高耐久性和高可靠性，用作显示装置的栅极扫描电路、背板等的基本结构。然而，当向传统氧化物半导体薄膜晶体管的栅极电极持续施加高电压时，传统氧化物半导体薄膜晶体管可能容易劣化并发生故障。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供了一种氧化物半导体薄膜晶体管，该氧化物半导体薄膜晶体管对持续施加至其栅极电极的高电压具有高耐久性和高可靠性。本专利技术的实施方式提供了一种制造该氧化物半导体薄膜晶体管的方法。根据本专利技术的一个实施方式，一种氧化物半导体薄膜晶体管包括栅极电极，栅极电极位于衬底上并具有第一面积；栅极绝缘层，栅极绝缘层位于栅极电极上并覆盖栅极电极；有源层，有源层位于栅极绝缘层上并具有小于第一面积的第二面积；源极电极，源极电极位于...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：王盛民，尹柱善，徐泰安，金正晥，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：
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