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一种氧化物半导体薄膜晶体管包括：栅极电极，栅极电极位于衬底上并具有第一面积；栅极绝缘层，栅极绝缘层位于栅极电极上并覆盖栅极电极；有源层，有源层位于栅极绝缘层上并具有小于第一面积的第二面积；源极电极，源极电极位于有源层上并接触有源层的源极区域...
该专利属于三星移动显示器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星移动显示器株式会社授权不得商用。

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