【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种根据权利要求1前序部分的方法，该方法用于分散测定半导体结构的串联电阻，其中，所述半导体结构为太阳能电池或制造太阳能电池时的前体，该半导体结构包括至少一个Pn结和用于电接触的触点。
技术介绍
串联电阻为用于描述太阳能电池的重要参数，因为高串联电阻往往导致太阳能电池的效率降低。所述太阳能电池的总串联电阻在此由多个部分组成如金属触点结构的横向电阻，掺杂层(如发射层)的横向电阻和/或金属触点结构和掺杂层之间的接触电阻均可属于总串联电阻。为了对太阳能电池进行描述并且在太阳能电池制造期间进行过程控制，期望分散测定太阳能电池的串联电阻，也就是说，分别计算多个点的局部串联电阻，通过局部串联电阻的分布可推断局部不均勻的工艺条件或故障元件，如断开的金属结构。已知多种用于分散测定串联电阻的方法，其中，在分散测定太阳能电池内形成的发光时尤其适用于这些测量方法。已知的是可借助CCD摄像机对由太阳能电池表面发出的光进行分散测量并且由此对串联电阻进行分散测定在T. Trupke, E. Pink, R. A. Bardos和Μ. D =Abbott的《利用发光图像研究硅太阳...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·豪恩席尔德，M·格拉特哈尔，S·瑞恩，
申请(专利权)人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会，弗赖堡阿尔伯特路德维格大学，
类型：发明
国别省市：
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