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本发明涉及一种用于分散测定半导体结构的串联电阻的方法，所述方法通过在测量条件A和B下使半导体结构内形成发光，为半导体结构的多个给定的点测定局部校准参数CV，i并且为半导体结构的多个给定的点测定局部串联电阻RS，i。重要的是，为半导体结构的所...该专利属于弗劳恩霍弗实用研究促进协会;弗赖堡阿尔伯特-路德维格大学所有，仅供学习研究参考，未经过弗劳恩霍弗实用研究促进协会;弗赖堡阿尔伯特-路德维格大学授权不得商用。