一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜制备新方法技术

一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜制备新方法，在衬底上淀积一层低K值介电层，在低K值介电层上刻蚀形成多个沟槽，在沟槽中填充金属铜，再进行化学机械平坦化，然后形成第一碳化硅薄膜覆盖所述金属铜和所述低K值介电层，所述第一碳化硅薄膜为多层第二碳化硅薄膜依次相互堆叠形成；每一层第二碳化硅薄膜的制备过程中，先用含氮反应气体淀积形成第二碳化硅薄膜，再用等离子体去除所述第二碳化硅薄膜中的氮元素；然后在去除了氮元素的第二碳化硅薄膜上继续淀积形成新的第二碳化硅薄膜，再用等离子体去除所述新的第二碳化硅薄膜中的氮元素；重复上述第二碳化硅薄膜的形成步骤和去除氮元素的步骤，直至形成多层第二碳化硅薄膜堆叠的厚度达到第一厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属阻挡层的制备工艺，具体而言，涉及。
技术介绍
在现代CMOS器件的制造中，随着关键尺寸的不断缩小，互联金属从铝过渡到了铜，而金属阻挡介质层也有传统的氮化硅过渡到了碳化硅。参考图Ia和图Ib所示的传统的碳化硅薄膜工艺，图Ia中，衬底101上为低K值介电层102，低K值介电层102上具有多个凹槽(图Ia中未标号)，所述凹槽中填充有金属铜且进行看化学机械平坦化制程；图Ib中，碳化硅薄膜104覆盖低K值介电层102和金属铜 103上，碳化硅薄膜104在淀积时，用到的是NH3等含氮的反应气体。由于NH3中的氮元素会使得后续制程中的光阻有中毒的风险，使得光阻质量下降，最终导致一些半导体互联关键尺寸的不一致。因此，提供一种能够有效避免光阻中毒的碳化硅薄膜制备新方法就显得尤为重要了。
技术实现思路
本专利技术的目的是避免光阻中毒和变性的风险，从而提高互联关键尺寸的一致性。本专利技术公开，提供一衬底，在所述衬底上淀积一层低K值介电层，在所述低K值介电层上刻蚀形成多个沟槽，在所述沟槽中填充金属铜，再进行化学机械平坦化，然后形成具有第一厚度的第一碳化硅薄膜覆盖所述金属铜和所述低K值介电层，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张文广，徐强，郑春生，陈玉文，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：