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一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜制备新方法，在衬底上淀积一层低K值介电层，在低K值介电层上刻蚀形成多个沟槽，在沟槽中填充金属铜，再进行化学机械平坦化，然后形成第一碳化硅薄膜覆盖所述金属铜和所述低K值介电层，所述第一碳化硅薄膜为多层第二碳化硅薄膜...
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