本发明专利技术公开了一种有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，包括如下步骤：提供一衬底；在衬底上形成TFT；接着在上述衬底上方继续沉积钝化层覆盖源极电极及漏极电极；在钝化层上形成光刻胶层进行蚀刻，形成暴露源极电极或漏极电极的第一接触孔并去除剩余光刻胶层；接下来继续在第一接触孔上形成光敏性或者蚀刻型有机平坦化层，对有机平坦化层进行曝光，曝光掩膜为区域透光式掩膜，第一接触孔的位置为全曝光，像素电极区域A为半曝光，其余区域为不曝光；最后，在衬底的整个表面形成像素电极。本发明专利技术提供的有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，将现有的两次平坦化工艺减少为一次平坦化层工艺，减少了一次掩膜工艺，可有效降低成本。?
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种阵列基板制造方法，尤其涉及一种。
技术介绍
有机发光显示器件(OLED )是主动发光器件。相比现在的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示器(TFT -IXD )，OLED具有高对比度，广视角，低功耗，体积更薄等优点， 有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。图1是常规有源矩阵有机发光显示器的截面图。在制造具有上述结构的有机发光显示器的方法中，通过一系列半导体制造工艺，在衬底10上形成具有缓冲层(图未示)、半导体11、源极/漏极区域14-1和14-2、栅极绝缘层12、栅极电极13、层间绝缘层15、通孔 16-1和16-2、及源极/漏极电极17-1和17-2的TFT。接着在衬底10上TFT上方沉积无机层18-1 (优选氮化硅层)作为钝化层18来覆盖源极/漏极电极17-1、17-2。当在无机层18-1上形成光致抗蚀剂图案之后，通过使用光致抗蚀剂图案作为掩膜的蚀刻工艺，形成暴露源极/漏极电极17-2的接触孔或通孔19-1。 然后通过氧等离子体工艺，光致抗蚀剂剥离工艺或其他类似工艺除去光致抗蚀剂图案。接下来，当在接触孔19-1上形成光敏性或者蚀刻型第一有机平坦化层18-2和形成光致抗蚀剂图案之后，对光致抗蚀剂图案进行另一个掩膜蚀刻工艺，因此在第一有机平坦化层18-2中形成接触孔19。接着，当在衬底10的整个表面上形成导电材料之后，随同曝光、显影和蚀刻工艺进行典型的光刻工艺，由此形成像素电极20，其通过接触孔19连接到源极/漏极17-2上。然后在衬底10的整个表面上形成第二有机平坦化层21，从而覆盖像素电极20，且形成开口 22来暴露像素电极20 ；最后，通过在像素电极20上形成有机层(图未示)和上电极(图未示)制造出有源矩阵有机发光显示器。现有的，有机平坦化层18-2和平坦化层21分开来做，需要两次掩膜工艺。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，能够一起完成平坦化层制作，达到减少一道掩膜刻蚀工艺的目的，简化生产流程。本专利技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种，包括如下步骤提供一衬底；在衬底上形成缓冲层、半导体、源极区域、漏极区域和栅极绝缘层；在上述衬底上继续形成栅极电极、层间绝缘层、源极电极及漏极电极，所述源极电极通过通孔和源极区域相连，所述漏极电极通过通孔和漏极区域相连；接着在上述衬底上方继续沉积钝化层覆盖源极电极及漏极电极；在钝化层上形成光刻胶层进行蚀刻，形成暴露漏极电极的第一接触孔并去除剩余光刻胶层；接下来继续在第一接触孔上形成光敏性或者蚀刻型有机平坦化层，对有机平坦化层进行曝光，曝光掩膜为区域透光式掩膜，第一接触孔的位置为全曝光，形成第二接触孔，所述的第二接触孔和第一接触孔相贯通，像素电极区域A为半曝光，其余区域为不曝光；最后，在衬底的整个表面形成像素层，利用曝光、显影和蚀刻方式形成像素电极，所述像素电极通过第一接触孔、第二接触孔连接到漏极电极上。上述的，其中，所述有机平坦化层曝光前的厚度为2um 6um。上述的，其中，所述钝化层为氮化硅层。上述的，其中，所述衬底为玻璃基板。本专利技术对比现有技术有如下的有益效果本专利技术提供的，将现有的两次平坦化工艺减少为一次平坦化层工艺，减少了一次掩膜工艺，可有效降低成本。附图说明图1为常规有源矩阵有机发光显示器的截面示意图； 图2为本专利技术形成有源矩阵TFT截面示意图3为本专利技术无机钝化层工艺截面示意图； 图4为本专利技术有机平坦化层工艺涂布后截面示意图； 图5为本专利技术有机平坦化层曝光显影后截面示意图； 图6为本专利技术像素_图中 10衬底 13栅极电极 15层间绝缘层17-2漏极18-2有机平坦化层 21平坦化层 30衬底 33栅极电极 35层间绝缘层 37-2漏极 40有机平坦化层具体实施例方式后截面示意图。11半导体层 14-1源极区域 16-1、16-2 通孑L18钝化层 19、19-1接触孔 22开口 31半导体层 34-1源极区域 36-1、36-2 通孔 38钝化层 41第二接触孔12栅极绝缘层 14-2漏极区域 17-1源极18-1无机层 20像素电极32栅极绝缘层 34-2漏极区域 37-1源极39第一接触孔 42像素电极。下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的描述。图2 图6为本专利技术有源矩阵有机发光显示器的各工艺步骤的截面示意图。请参见图2，提供一衬底30，如玻璃基板，通过一系列半导体制造工艺，在衬底30 上形成具有缓冲层(图未示)、半导体31、源极/漏极区域34-1和34-2、栅极绝缘层32、栅极电极33、层间绝缘层35、通孔36-1和36-2、源极电极37_1及漏极电极37_2的TFT。如图3所示，接着在衬底30上TFT上方沉积无机层(优选氮化硅层)作为无机钝化层38来覆盖源极电极37-1和漏极电极37-2 ；当在无机钝化层38上形成光致抗蚀剂图案之后，通过使用光致抗蚀剂图案作为掩膜的蚀刻工艺，形成暴露源极电极37-1或漏极电极37-2的第一接触孔39 ；然后通过氧等离子体工艺，光致抗蚀剂剥离工艺或其他类似工艺除去光致抗蚀剂图案。如图4所示，接下来，当在第一接触孔39上形成光敏性或者蚀刻型有机平坦化层 40。现有的有机平坦化层18-2和平坦化层21的材料可一样，也可不一样；平坦化层的主要作用是在不同介质层间起平整作用，便于后续层的制作，但前提是有一定的厚度，因此本专利技术的平坦化层的厚度优选为传统二者之和，以达到两个平坦化的要求；如传统的两者厚度为2 士 Ium ；因此本专利技术的厚度优选为4 士 2um。如图5所示，对有机平坦化层40进行曝光，曝光掩膜为区域透光式掩膜，在第一接触孔39的位置为全曝光，形成与第一接触孔相贯通的第二接触孔41，像素电极区域A为半曝光，其余区域为不曝光。如图6所示，在衬底30的整个表面形成像素电极材料层之后，随同曝光、显影和蚀刻工艺进行典型的光刻工艺，由此形成像素电极42，所述像素电极42通过第一接触孔39、 第二接触孔41连接到漏极电极37-2上。最后，通过在像素电极42上形成有机发光层(图未示)和上电极(图未示)制造出有源矩阵有机发光显示器。综上所述，本专利技术提供的，将现有的两次平坦化工艺减少为一次平坦化层工艺，减少了一次掩膜工艺，可有效降低成本。虽然本专利技术已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本专利技术，任何本领域技术人员，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本专利技术的保护范围当以权利要求书所界定的为准。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，其特征在于，包括如下步骤提供一衬底(30);在衬底(30)上形成缓冲层、半导体(31)、源极区域(34-1)、漏极区域(34-2)和栅极绝缘层(32)；在上述衬底(30)上继续形成栅极电极(33)、层间绝缘层(35)、源极电极(37-1)及漏极电极(37-2)，所述源极电极(37-1)通过通孔(36-1)和源极区域(34_1)相连，所述漏极电极(37-2)通过通孔(36-2)和漏极区域(34-2)相连；接着在上述衬底(30)上方继续沉积钝化层(38)覆盖源极电极(37-1)及漏极电极 (37-2);在钝化层(38)上形成光刻胶层进行蚀刻，形成暴露漏极电极的第一接触孔(39)并去除剩余光刻胶层；接下来继续在第一接触孔(39)上形成光敏性或者蚀刻型有机平坦化层(40)，对有机平坦...
【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，邱勇，黄秀颀，李建文，费国东，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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