具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法技术

本发明专利技术提供具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法，属于半导体材料的制备领域。一种SOI材料衬底，包括一硅衬底，一埋氧层和一具有第一掺杂类型的顶层硅层，所述顶层硅层中还掺有重金属元素；一种制备上述衬底的方法，包括以下步骤：在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入重金属元素；在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入第一掺杂类型的杂质。本发明专利技术解决了现有技术中在体硅材料中掺杂重金属元素时候的较高工艺成本的问题；同时改变掺杂的顺序，提高了衬底的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料的制备领域，尤其涉及一种SOI材料衬底的制备。
技术介绍
理想的PN结二极管有正向导通逆向关断的特性，但我们实际使用的二极管在PN 结两边加逆向电压时，不能马上有效的关断，需要经过一定时间，由原来的正向导通到逆向截止的反向恢复时间。这样有可能会在控制电路中造成逻辑信号紊乱；在高功率器件使用中，器件的反向功率损耗大。SOI 二极管、SOI双极型晶体管、SOI绝缘栅双极型晶体管(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor,以下简称IGBT)的双极型晶体管部分等器件的反向关断时间过长导致器件性能受到影响。SOI MOS、SOI IGBT的MOS部分等器件具有曲翘效应(Kink effect)，从而影响上述器件的工作稳定。SOI 晶闸管(SCR，silicon controlled rectifier，以下简称 SCR)和 SOI 双向晶闸管(TRIAC，TRI-Electrode AC switch，以下简称TRIAC)的工作频率较低。对于上述问题，现有技术采用多种办法予以克服，其中有一种为在体硅材料中掺杂重金属元素，从而形成复本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有高效复合中心的SOI材料衬底，包括一硅衬底，一埋氧层和一具有第一掺杂类型的顶层硅层，其特征在于，所述顶层硅层中还掺有重金属元素。2.根据权利要求1所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底，其特征在于，所述重金属元素为金、钼、钯中任意一种或几种的混合物。3.根据权利要求1所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型掺杂或P型掺杂。4.根据权利要求1所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底，其特征在于，所述SOI材料衬底采用注氧隔离技术、键合技术、注氧键合技术、键合腐蚀技术与智能剥离技术中任意一种技术制备。5.一种如权利要求1所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入重金属元素；在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入第一掺杂类型的杂质并在第一温度下退火。6.根据权利要求5所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底制备方法，其特征在于，所述在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入重金属元素进一步包括如下步骤将SOI材料衬底浸润在一含有重金属元素的溶液中停留一时间；从所述含有重金属元素的溶液中取出SOI材料衬底，并在第二温度下退火。7.根据权利要求6所述的具有高效复合中心的SOI材料衬底制备方法，其特征在于，所述SOI...

【专利技术属性】
技术研发人员：王学良，张峰，叶斐，赵常盛，王曦，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
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