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本发明提供具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法，属于半导体材料的制备领域。一种SOI材料衬底，包括一硅衬底，一埋氧层和一具有第一掺杂类型的顶层硅层，所述顶层硅层中还掺有重金属元素；一种制备上述衬底的方法，包括以下步骤：在SOI材料衬...该专利属于上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。