一种介质层刻蚀方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体制备技术领域，更确切的说，本发明专利技术涉及一种介质层刻蚀方法。在一衬底上，自下而上依次淀积介质材料、抗反射层、光刻胶；并在光刻胶上定义需要转移的图案的第一开口；随后通过开口刻蚀抗反射层形成位于抗反射层中的第二开口且利用重聚合物特性的气体刻蚀暴露于第一、第二开口处的介质材料，形成介质材料中的一沟槽，并在该刻蚀过程中形成聚集在沟槽底部及侧壁、第一、第二开口侧壁上的一聚合物保护层；随后继续通过刻蚀气体在沟槽处对介质材料中进行刻蚀；通过第三开口对位于沟槽下方的介质材料继续刻蚀，形成通孔；最后灰化去除光刻胶。本发明专利技术提高芯片良率，能一次性形成通孔和沟槽结构，简化了工艺流程，节省了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制备
，更确切的说，本专利技术涉及一种利用电容耦合等离子体刻蚀设备对介质层刻蚀方法。
技术介绍
刻蚀(Etch)，它是半导体制造方法，微电子IC制造方法以及微纳制造方法中的一种相当重要的步骤。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造方法的发展； 广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称， 成为微加工制造的一种普适叫法。介质刻蚀过程中需要一定量的聚合物保护层来保护侧壁并以物理轰击为主，若过量易产生刻蚀终止(etch stop)现象，故介质刻蚀过程中聚合物保护层控制在较小范围之内，通常不会在刻蚀之前产生一层厚钝化物。另外，要形成孔和沟槽，一般必须两步光刻，分别曝光。但是采用这种方法进行刻蚀，会造成方法复杂，成本较高等问题。鉴于上述问题，有必要找寻一种新的刻蚀方法以解决上述所面临的问题。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术提供，包括以下步骤 步骤1、在一衬底上，自下而上依次淀积介质材料、抗反射层、光刻胶； 步骤2、在光刻胶上定义需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李全波，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：