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本发明涉及一种半导体制备技术领域，更确切的说，本发明涉及一种介质层刻蚀方法。在一衬底上，自下而上依次淀积介质材料、抗反射层、光刻胶；并在光刻胶上定义需要转移的图案的第一开口；随后通过开口刻蚀抗反射层形成位于抗反射层中的第二开口且利用重聚合物...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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