新型单晶炉制造技术

技术编号:7266703 阅读:167 留言:0更新日期:2012-04-15 02:35
本实用新型专利技术属于单晶硅生产设备领域,特别涉及一种新型单晶炉。新型单晶炉,其包括炉底板,炉底板的上方设置有炉体,炉体上方设置有对炉体密封的炉盖,炉体内设置有一个内腔,在内腔内设置有盛放物料的容器,其特征在于:还包括一个导流环,所述的导流环的上端与炉体的上边缘连接,导流环的下端与容器端口连接。本实用新型专利技术在炉体内设置了一个导流环,对原料进行导向,防止原料落入容器外,影响单晶炉的正常工作。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于单晶硅生产设备领域,特别涉及一种新型单晶炉
技术介绍
目前,直拉单晶炉是晶体生长设备中最重要的产品系列,用它来制作人工晶体,单晶生长速度最高,最容易实现人工控制,因此也获得了最广泛的应用。在向单晶炉的容器中添加原料时,由于容器的端口距离炉体的上表面有一定的距离,当原料落下时可能会掉到容器的外面,对单晶炉内部的环境存在影响,更可能对单晶炉里面一些器件产生影响,影响单晶炉的正常工作。
技术实现思路
针对上述技术问题,本技术在炉体内设置了一个导流环,对原料进行导向,防止原料落入容器外,影响单晶炉的正常工作。本技术通过以下技术方案实现新型单晶炉,其包括炉底板,炉底板的上方设置有炉体,炉体上方设置有对炉体密封的炉盖,炉体内设置有一个内腔,在内腔内设置有盛放物料的容器,其特征在于还包括一个导流环,所述的导流环的上端与炉体的上边缘连接,导流环的下端与容器端口连接。在容器的外侧环绕设置有加热器。所述的加热器为石墨加热器。综上所述本技术通过设置的导流环对原料进行导向,防止其落入容器外的其他地方,保证了单晶炉的正常稳定的工作,同时设置的加热器能对容器内的原料的温度进行控制,便于晶体的成长,采用石墨加热器,具有功耗低,效率高的优势。附图说明图1为本技术的结构示意图;图2为加热器展开示意图,图中,1为炉底板,2为炉体,3为炉盖,4为加热器,21为内墙,22为容器,23为导流环。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术进一步说明。如图1所示的新型单晶炉,其包括炉底板1,炉底板1的上方设置有炉体2,炉体2 上方设置有对炉体2密封的炉盖3,炉体2内设置有一个内腔21,在内腔21内设置有盛放物料的容器22,其特征在于还包括一个导流环23,所述的导流环23的上端与炉体2的上边缘连接,导流环23的下端与容器22端口连接。在容器的外侧环绕设置有加热器4,所述的加热器4为石墨加热器。 综上所述本技术通过设置的导流环对原料进行导向,防止其落入容器外的其他地方,保证了单晶炉的正常稳定的工作,同时设置的加热器能对容器内的原料的温度进行控制,便于晶体的成长,采用石墨加热器,具有功耗低,效率高的优势。权利要求1.新型单晶炉,其包括炉底板,炉底板的上方设置有炉体,炉体上方设置有对炉体密封的炉盖,炉体内设置有一个内腔,在内腔内设置有盛放物料的容器,其特征在于还包括一个导流环,所述的导流环的上端与炉体的上边缘连接,导流环的下端与容器端口连接。2.根据权利要求1所述的新型单晶炉,其特征在于在容器的外侧环绕设置有加热器。3.根据权利要求2所述的新型单晶炉,其特征在于所述的加热器为石墨加热器。专利摘要本技术属于单晶硅生产设备领域,特别涉及一种新型单晶炉。新型单晶炉,其包括炉底板,炉底板的上方设置有炉体,炉体上方设置有对炉体密封的炉盖,炉体内设置有一个内腔,在内腔内设置有盛放物料的容器,其特征在于还包括一个导流环,所述的导流环的上端与炉体的上边缘连接,导流环的下端与容器端口连接。本技术在炉体内设置了一个导流环,对原料进行导向,防止原料落入容器外,影响单晶炉的正常工作。文档编号C30B15/02GK202187082SQ201120243118公开日2012年4月11日 申请日期2011年7月12日 优先权日2011年7月12日专利技术者房志刚 申请人:常州江南电力光伏科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:房志刚
申请(专利权)人:常州江南电力光伏科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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