在本发明专利技术的一个方面中，一种发光装置包含：外延层，具有形成在衬底上的多个半导体层；第一电极和第二电极，具有彼此相反的极性，且分别电耦合到所述外延层的对应半导体层；以及杆体结构，形成在所述外延层上。所述杆体结构包含彼此隔开的多个杆体。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般来说涉及一种发光装置，且更具体来说，涉及一种利用杆体结构来改进光提取效率的发光装置。在本专利技术的描述中引用并论述了一些参考文献，其可包含专利、专利申请案和各种公开文献。提供这些参考文献的引用和/或论述仅以阐明本专利技术的描述，并不承认任何此类参考文献为本文中所描述的本专利技术的“现有技术”。在本说明书中所引用并论述的所有参考文献的全文以引用的方式并入本文中，且在如同每一参考文献个别地以引用的方式并入本文中的相同程度上并入本文中。
技术介绍
发光二极管(LED)已普遍用于具有极大亮度的照明。LED通常包含多层结构，包括 P型半导体、η型半导体和夹在P型半导体与η型半导体之间的有源层；P电极和η电极，其置放在多层结构的表面上。在操作中，将电流从P电极和η电极注入到LED中，所述电流扩展至各自半导体层中。当电流跨越有源层流动时，由于在有源层处少数载流子的重组而产生光。通常，从有源层所产生的光会反射到不同的角度，借此使光提取效率降级。为了改进光提取效率，通常使用在光射出的表面上形成的微结构来减少光反射。 然而，通常通过光刻和/或蚀刻形成微结构，此情形不可避免地增加制造的复杂性和成本。 另一方面，当从有源层所产生的光透射到金属ρ电极和/或η电极时，大多数透射光可在其中被吸收，此情形降低光发射效率。因此，在此技术中有需要去解决前述的至今仍未解决的缺点和不足。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种利用杆体结构来改进光提取效率的发光直ο在一方面中，本专利技术涉及一种发光装置。在实施例中，所述发光装置包含衬底； 缓冲层，形成在所述衬底上；第一型半导体层，形成在所述缓冲层上；有源层，形成在所述第一型半导体层上，使得所述第一型半导体层具有暴露区域；第二型半导体层，形成在所述有源层上；接触层，形成在所述第二型半导体层上；杆体结构，形成在所述接触层和所述第一型半导体层的所述暴露区域中的至少一者上；第二型电极，形成在所述接触层上；以及第一型电极，形成在所述第一型半导体层的所述暴露区域上。所述有源层包括多量子阱 (MQff)。在实施例中，所述缓冲层由未掺杂InAKiaN形成。所述第一型半导体层由η型 InAlGaN形成，且所述第二型半导体层由ρ型IniUGaN形成。在实施例中，所述发光装置可进一步包含未掺杂InAKiaN层，形成在所述缓冲层上。所述第一型半导体层形成在所述未掺杂InMGaN层上。所述接触层由透明导电氧化物形成，所述透明导电氧化物包含IT0、ai0、AZ0、GZ0、In2O3> SnO2或其组合。所述杆体结构由透明材料形成。在实施例中，所述透明材料包括透明导电氧化物， 其包含IT0、ai0、AZ0、GZ0、h203、Sr^2或其组合。在另一实施例中，所述透明材料包括SiN、 SiO2, TiO2, Al2O3 或其组合。所述杆体结构通过化学气相沉积、蒸发、溅射沉积、水热沉积、光刻、蚀刻或热氧化的制程形成。在实施例中，所述杆体结构通过包括蒸发或溅射的所述制程而在约25°C到 400°C的范围内的温度下且在约Osccm到IOsccm的范围内的氧流动速率下形成。在实施例中，所述杆体结构包括彼此隔开的多个杆体。所述多个杆体的平均间距在约IOnm到IOOOnm的范围内、平均直径在约IOnm到IOOOnm的范围内，并且平均高度在约 IOnm到2000nm的范围内。在实施例中，所述多个杆体形成为分别环绕所述第二型电极和所述第一型电极。在另一实施例中，所述多个杆体以所要图案形成在所述接触层中。在又一实施例中，所述多个杆体形成在所述第一型半导体层的所述暴露区域中。在另外实施例中，所述多个杆体形成在所述第一型半导体层的所述暴露区域中且形成为环绕所述第一型电极。在另一方面中，本专利技术涉及一种发光装置。在实施例中，所述发光装置包含衬底，具有相对的第一表面和第二表面；缓冲层，形成在所述衬底的所述第二表面上；分布布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector, DBR)层，形成在所述缓冲层上；第一型半导体层，形成在所述DBR层上；有源层，形成在所述第一型半导体层上；第二型半导体层，形成在所述有源层上；光提取层，形成在所述第二型半导体层上；接触层，形成在所述光提取层上；杆体结构，形成在所述接触层的一部分上；第一型电极，形成在所述衬底的所述第一表面上；以及第二型电极，形成在所述接触层上。在实施例中，所述第一型半导体层由η型InMGaP形成，且所述第二型半导体层由 P型InMGaP形成。所述有源层包括MQW。所述接触层由ITO的第二型半导体和AuBe的半导体形成。所述杆体结构由透明材料形成。在实施例中，所述透明材料包括透明导电氧化物， 其包含IT0、ai0、AZ0、GZ0、h203、Sr^2或其组合。在另一实施例中，所述透明材料包括SiN、 SiO2, TiO2, Al2O3 或其组合。所述杆体结构通过化学气相沉积(CVD)、蒸发、溅射沉积、水热沉积、光刻、蚀刻或热氧化的制程形成。在实施例中，所述杆体结构通过包括蒸发或溅射的所述制程而在约 25°C到400°C的范围内的温度下且在约Osccm到IOsccm的范围内的氧流动速率下形成。在实施例中，所述杆体结构包括彼此隔开的多个杆体。所述多个杆体的平均间距在约IOnm到IOOOnm的范围内、平均直径在约IOnm到IOOOnm的范围内，并且平均高度在约 IOnm到2000nm的范围内。在实施例中，所述多个杆体形成为环绕所述第二型电极。在另一实施例中，所述多个杆体以所要图案形成在所述接触层的所述部分上。在又一方面中，本专利技术涉及一种发光装置。在实施例中，所述发光装置包含衬底；接合层，形成在所述衬底上；反射器，形成在所述接合层上；透明导电层，形成在所述反射器上；第二型半导体层，形成在所述透明导电层上；有源层，形成在所述第二型半导体层上；第一型半导体层，形成在所述有源层上；杆体结构，形成在所述第一型半导体层上 ’第一型电极，电耦合到所述第一型半导体层；以及第二型电极，形成在额外衬底上且电耦合到所述第二型半导体层。在实施例中，所述发光装置进一步包含欧姆接触层，形成在所述反射器与所述透明导电层之间。所述发光装置亦可包含透明导电氮氧化物层，形成在第一型半导体层上，且所述第一型电极形成在所述透明导电氮氧化物层上。在实施例中，所述第一型半导体层由η型InAKiaN形成，且其中所述第二型半导体层由ρ型IniUGaN形成。所述有源层包括MQW。所述杆体结构由透明材料形成。在实施例中，所述透明材料包括透明导电氧化物， 其包含IT0、ai0、AZ0、GZ0、h203、Sr^2或其组合。在另一实施例中，所述透明材料包括SiN、 SiO2, TiO2, Al2O3 或其组合。所述杆体结构通过化学气相沉积(CVD)、蒸发、溅射沉积、水热沉积、光刻、蚀刻或热氧化的制程形成。在实施例中，所述杆体结构通过包括蒸发或溅射的所述制程而在约 25°C到400°C的范围内的温度下且在约Osccm到IOsccm的范围内的氧流动速率下形成。在实施例中，所述杆体结构包括彼此隔开的多个杆体。所述多个杆体的平均间距在约IOnm到IOOOnm的范围内、平均直径在约IOnm到IOOOnm的范围内，并且平均高度在约 IO本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李孟信，余国辉，卢宗宏，蔡明记，朱长信，
申请(专利权)人：佛山市奇明光电有限公司，奇力光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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