发光二极管结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种发光二极管结构及其制作方法。此发光二极管结构包含一基板、一外延结构、一保护层以及至少一电极。外延结构设于基板上。保护层覆盖在外延结构上，其中此保护层具有至少一开口，且此至少一开口位于外延结构的至少一部分上。前述的至少一电极设于至少一开口中，且延伸覆盖在外延结构的前述至少一部分、以及前述至少一开口周围的保护层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光元件，且特别是涉及一种。
技术介绍
请参照图1，其是绘示一种传统发光二极管结构的剖面示意图。发光二极管结构 100主要包含基板102、外延结构104、透明导电层106、电极114与保护层116。外延结构 104设于基板102上。透明导电层106则设于外延结构104上。电极114设置在部分的透明导电层106上方。电极114 一般是由三层金属层108、110与112所堆叠而成。保护层 116则覆盖在电极114与透明导电层106的暴露部分上。保护层116具有开口 118，其中开口 118暴露出部分的电极114，以利电极114与外部电源进行电连接。在此种传统发光二极管结构100中，在制作工艺中定义电极114时，所使用的酸碱溶液或酸碱气体会损及透明导电层106，而在透明导电层106的上表面上产生缺陷。由于在发光二极管结构100中，其是先形成电极114，然后才在电极114的定义，因此酸碱溶液或酸碱气体极易从电极114与透明导电层106的接触界面的外围120，而进入两者的接触界面。此外，在完成电极114的定义后，进行光致抗蚀剂清洁时所使用的等离子体，或者后续沉积保护层116所使用的等离子体，也同样极易从电极114与透明导电层106的接触界面的外围120，而进入两者的接触界面。而无论是酸碱侵蚀，或是等离子体侵入，均会导致电极114对于透明导电层106的附着力下降。电极114对透明导电层106的附着力不佳，将会造成发光二极管结构100的电性特性异常，影响发光二极管结构100的稳定性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种发光二极管结构及其制造方法，其是先形成保护层， 再形成电极。如此一来，电极可填入形成保护层期间在透明导电层表面上所形成的缺陷中。 因此，可降低酸碱溶液、酸碱气体或等离子体经由电极与透明导电层的界面的外围进入，进而可减低酸碱溶液、酸碱气体或等离子体对于电极与透明导电层的接合界面的损害。故，可大幅提升电极对于透明导电层的附着力。本专利技术的另一目的在于提供一种发光二极管结构及其制造方法，其电极的周缘抬高而位在保护层之上，且并未与外延结构的半导体层或透明导电层接触。因此，可有效避免酸碱溶液、酸碱气体或等离子体侵入电极与外延结构的半导体层或透明导电层之间的界面，进而可提高发光二极管结构的电极的稳定性，有效提升发光二极管结构的操作性能。本专利技术的又一目的在于提供一种发光二极管结构及其制造方法，其可有效增进电极对于透明导电层的附着力，因此可提高发光二极管结构的电性品质，进一步达到提升发光二极管结构的稳定性的效果。根据本专利技术的上述目的，提出一种发光二极管结构。此发光二极管结构包含一基板、一外延结构、一保护层以及至少一电极。外延结构设于基板上。保护层覆盖在外延结构4上，其中此保护层具有至少一开口，且此至少一开口位于外延结构的至少一部分上。前述的至少一电极设于至少一开口中，且延伸覆盖在外延结构的前述至少一部分、以及前述至少一开口周围的保护层上。依据本专利技术的一实施例，上述的外延结构包含一第一电性半导体层位于基板上； 一发光层位于第一电性半导体层的第一部分上，且暴露出第一电性半导体层的第二部分； 以及一第二电性半导体层位于发光层上。其中，发光二极管结构更包含一透明导电层位于第二电性半导体层上，且保护层的上述至少一开口包含第一开口与第二开口分别位于部分的透明导电层与第一电性半导体层的第二部分上。其中，发光二极管结构的上述至少一电极包含第一电极与第二电极分别设于第一开口与第二开口中，且第一电极延伸覆盖在透明导电层的上述部分、以及第一开口周围的保护层上，第二电极延伸覆盖在第一电性半导体层的第二部分、以及第二开口周围的保护层上。依据本专利技术的另一实施例，上述的外延结构包含依序堆叠在基板上的第二电性半导体层、发光层以及第一电性半导体层，且上述的至少一开口暴露出第一电性半导体层的一部分。此外，上述的发光二极管结构更包含一反射镜位于第二电性半导体层与基板之间；以及一接合层位于反射镜与基板之间。依据本专利技术的又一实施例，上述的保护层可为单层结构或双层结构，且保护层的厚度可介于20A与20 μ m之间。根据本专利技术的上述目的，另提出一种发光二极管结构的制作方法，包含下列步骤。 提供一基板。形成一外延结构于基板上。其中，前述的外延结构包含一第一电性半导体层位于基板上；一发光层位于第一电性半导体层的第一部分上，且暴露出第一电性半导体层的第二部分；以及一第二电性半导体层位于发光层上。形成一透明导电层于第二电性半导体层上。形成一保护层覆盖在外延结构上，其中保护层具有第一开口与第二开口分别位于部分的透明导电层与第一电性半导体层的第二部分上。形成一第一电极与一第二电极分别位于第一开口与第二开口中，其中第一电极延伸覆盖在透明导电层的前述部分、以及第一开口周围的保护层上，且第二电极延伸覆盖在第一电性半导体层的第二部分、以及第二开口周围的保护层上。依据本专利技术的一实施例，上述形成第一电极与第二电极的步骤包含形成一光致抗蚀剂层覆盖在保护层上，其中光致抗蚀剂层具有第三开口与第四开口分别暴露出第一开口和第一开口周围的保护层、与第二开口和第二开口周围的保护层；形成一电极层覆盖在光致抗蚀剂层上，且填满第一开口、第三开口、第二开口与第四开口；以及进行一浮离步骤， 以移除光致抗蚀剂层与位于光致抗蚀剂层上的电极层。依据本专利技术的另一实施例，上述形成光致抗蚀剂层的步骤更包含使每一第三开口的内侧面与第四开口的内侧面具有底切结构。根据本专利技术的上述目的，更提出一种发光二极管结构的制作方法，包含下列步骤。 提供一第一基板。形成一外延结构于第一基板上，其中此外延结构包含依序堆叠在第一基板上的第一电性半导体层、发光层以及第二电性半导体层。利用一接合层将一第二基板接合在第二电性半导体层上。移除第一基板，以暴露出第一电性半导体层。形成一保护层覆盖在外延结构上，其中保护层具有一开口暴露出第一电性半导体层的一部分。形成一电极于开口中，其中电极延伸覆盖在第一电性半导体层的前述部分、以及开口周围的保护层上。依据本专利技术的一实施例，上述形成电极的步骤包含形成一光致抗蚀剂层覆盖在保护层上，其中此光致抗蚀剂层具有另一开口暴露出上述开口和开口周围的保护层；形成一电极层覆盖在光致抗蚀剂层上，且填满前述的开口与另一开口 ；以及进行一浮离步骤，以移除光致抗蚀剂层与位于光致抗蚀剂层上的电极层。依据本专利技术的另一实施例，在形成外延结构的步骤与将第二基板接合在第二电性半导体层上的步骤之间，上述的制造方法更包含形成一反射镜于第二电性半导体层上。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下图1是一种传统发光二极管结构的剖面示意图；图2A至图2E是本专利技术一实施方式的一种发光二极管结构的制作工艺剖视图；图3A至图3F是本专利技术另一实施方式的一种发光二极管结构的制作工艺剖视图。主要元件符号说明100 发光二极管结构102 基板104:外延结构106:透明导电层108:盒属层110:盒属层112:金属层114:电极116:保护层118:开口120 外围200 基板202:第一电性半导体层204:发光层206:第二电性半导体层208:外延结构210 第一部分212 第二部分214:本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：余国辉，庄文宏，朱长信，
申请(专利权)人：佛山市奇明光电有限公司，奇力光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：