电容的器件失配的修正方法技术

本发明专利技术公开了一种电容的器件失配的修正方法，首先，确定电容的工艺失配参数为3个，分别为面积型电容密度、周长型电容密度、电容值；其次，设定这3个参数的随机偏差；再次，对电容的器件失配进行修正。本发明专利技术可以在SPICE软件中对电容的器件失配进行仿真分析，而且充分考虑到电容宽度W、电容长度L和器件间距D对电容的器件失配的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件的失配修正方法。
技术介绍
在集成电路设计和生产过程中，由于不确定性、随机误差、梯度误差等原因， 一些设计时完全相同的半导体器件生产后却存在偏差，这便称为半导体器件的失配 (mismatch)。器件失配会引起器件结构参数和电学参数变化，从而极大地影响模拟电路的特性。随着半导体生产工艺发展，器件尺寸不断缩小，器件失配主要由随机误差造成，而这种随机误差通常是由集成电路生产工艺引起的。SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)是一款通用的集成电路仿真软件。由于器件失配对集成电路的影响很大，有必要通过软件仿真及早发现并加以修正。目前SPICE软件中缺少针对电容的器件失配模型。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种电容的器件失配模型，该模型可在SPICE 软件中对电容由于随机误差导致的失配进行仿真并予以修正。为解决上述技术问题，本专利技术为首先，确定电容的工艺失配参数为3个，分别为面积型电容密度(area-dominated capacitance density)(perimeter-dominated capacitance density) >(Capacitance)；其次，设定面积型电容密度的随机偏差σ^0Α =Jl^+ D2XTIca-,crACA，WxL设定周长型电容密度的随机偏差〃2 o\CP+ + XT^cp ；ciACP，W L设定电容值的随机偏差σ<j\c =a\CA χ (W χ L)2 +a2ACP x2；其中W为电容宽度、L为电容长度、D为电容之间的间距，S,CA、ΤΔα、S,m、S,CP2、 ΤΔα>为随机偏差修正因子；再次，对电容的器件失配进行修正，具体包括C = CA _ original χ (W xZ)x[l + fFxZx ACA χ agauss(0,\,3) + D χ ThCA χ agauss{0Xy)\ 一^lWxLCC+ CP _ original χ χ {1 + 2 χ (W + L) χ χ agauss{0X >) + ^^ χ agauss{0X >) 一WL+D χT\cp χagauss(0X3)\}其中C为修正后的电容值，CA_original为原始的面积型电容密度，CP_original为原始的周长型电容密度；所述agauss(0，l，3)表示期望值为 1、标准差(standard deviation)为 1/3 的正态分布取值范围内的随机数。本专利技术可以在SPICE软件中对电容的器件失配进行仿真分析，而且充分考虑到电容宽度W、电容长度L和器件间距D对电容的器件失配的影响。具体实施例方式本专利技术为首先，确定电容的工艺失配参数为为3个，分别为面积型电容密度CA、周长型电容密度CP、电容值C。之所以采用这三个参数作为电容的工艺失配参数，是由于这三个参数之间如有如下物理意义C = CAX (WXL)+CPX2X (W+L)，这是公式0。其中W为电容宽度、L为电容长度。其次，基于对大量电容的器件失配数据的研究及分析，发现上述3个参数的随机偏差都是和电容宽度W和电容长度L成反比，与电容之间的间距D成正比，由此得到各个工艺失配参数的随机误差，包括面积型电容密度CA的随机偏差〃权利要求1.一种，其特征是首先，确定电容的工艺失配参数为3个，分别为面积型电容密度、周长型电容密度、电容值；其次，设定面积型电容密度的随机偏差〃2心=J^- + D2 xTlCA ；crACA，WxL设定周长型电容密度的随机偏差σ2ΑΟΡ=^ψ + ^ + 2 XT^cp-,ciACP，W L设定电容值的随机偏差2.根据权利要求1所述的，其特征是，所述随机偏差修正因子ΤΔα和ΤΔ。Ρ仅与D相关，所述随机偏差修正因子仅与W和L相关，所述随机偏差修正因子仅与W相关，所述随机偏差修正因子S,CP2仅与L相关。3.根据权利要求2所述的，其特征是，所述随机偏差修正因子全文摘要本专利技术公开了一种，首先，确定电容的工艺失配参数为3个，分别为面积型电容密度、周长型电容密度、电容值；其次，设定这3个参数的随机偏差；再次，对电容的器件失配进行修正。本专利技术可以在SPICE软件中对电容的器件失配进行仿真分析，而且充分考虑到电容宽度W、电容长度L和器件间距D对电容的器件失配的影响。文档编号G06F17/50GK102385645SQ20101027161公开日2012年3月21日 申请日期2010年9月3日 优先权日2010年9月3日专利技术者周天舒, 王正楠 申请人:上海华虹Nec电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周天舒，王正楠，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：