一种铝硅铜薄膜的制备方法技术

一种铝硅铜薄膜的制备方法，属于半导体制造技术领域，包括如下步骤：步骤一、提供一硅衬底；步骤二、在所述硅衬底上，第一温度下淀积第一层铝硅铜薄膜；步骤三、在所述第一层铝硅铜薄膜上、第二温度下淀积第二层铝硅铜薄膜。本发明专利技术提供的铝硅铜薄膜的制备方法在满足器件对于铝硅铜薄膜在接触孔的台阶覆盖能力的要求同时使得铝硅铜薄膜与硅衬底接触界面处析出的硅颗粒密度和大小大大降低，从而减少了界面的接触电阻，降低了器件失效的风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造
，具体涉及。
技术介绍
随着半导体器件及其制造工艺的不断发展，对导线的材料也提出了更高的要求。从最开始的纯铝(Al)导线、后来的铝铜(Al-Cu)导线以及最近常用的铝硅铜合金 (Al-Si-Cu alloy)导线。在铝铜薄膜中加入少量的硅(Si)形成铝硅铜合金，其中硅(Si) 的含量一般为(Wt% )。这样可以很好地解决铝铜(Al-Cu)导线与硅衬底的接触界面处出现铝尖刺的问题。传统的铝硅铜合金(Al-Si-Cu alloy)薄膜的制备工艺、设备分别如图 1、2所示。结合图1和2可以看出，传统制备铝硅铜合金(Al-Si-Cu alloy)薄膜工艺包括如下步骤Sl 将作为基底的硅片100放入超高真空反应腔110内并放置在超高真空反应腔 110内的基座120上。基座120与硅片100之间具有可以通气的通道130，如沟槽等。S2 将基座120加热并保持温度，该温度可取范围为100-300°C。在这个温度范围内，可以提高铝硅铜薄膜在接触孔的台阶覆盖能力。S3 在基座120与硅片100之间的通道130内向硅片100背面通入氩气使硅片100 温度快速均勻上升并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵波，刘玮荪，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：