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一种铝硅铜薄膜的制备方法，属于半导体制造技术领域，包括如下步骤：步骤一、提供一硅衬底；步骤二、在所述硅衬底上，第一温度下淀积第一层铝硅铜薄膜；步骤三、在所述第一层铝硅铜薄膜上、第二温度下淀积第二层铝硅铜薄膜。本发明提供的铝硅铜薄膜的制备方法...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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