一种半导体加工设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体加工设备，涉及半导体技术领域，为提高产能而设计。所述半导体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室的腔室壁上设置有观察窗，所述反应腔室内部还设置有保护罩，所述保护罩罩设于所述观察窗上；所述保护罩相对于所述观察窗的一侧设置有开口；所述保护罩内设置有将经所述观察窗入射的光从所述开口射出或将经所述开口入射的光从所述观察窗射出的第一光学装置。本实用新型专利技术可用于半导体加工设备中。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体加工设备。
技术介绍
在半导体
，化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)设备应用十分广泛，主要用于形成绝缘介质层、互联层等薄膜。以太阳能电池制造工艺中的等离子体增强化学气相沉积(PECVD，Plasma Enhance Chemical Vapor D印osition)设备为例，包括反应腔室，反应腔室的腔室壁上设置有观察窗，一般为透明石英玻璃窗，通过观察窗对反应腔室内部情况进行监测，例如，监测反应腔室内是否放置了衬底载板。由于工艺进行中会生成大量工艺粉尘，而生成的工艺粉尘会由于扩散作用漂移到半导体加工设备反应腔室内部的各个角落，包括观察窗的位置。因此，在设备长时间运转后，观察窗表面就会沉积上大量粉尘，因此，将无法通过观察窗对反应腔室内部情况进行有效监测。这时，通常的处理措施是停机，更换或擦拭观察窗，因此使产能的降低。
技术实现思路
本技术的主要目的在于，提供一种半导体加工设备，能够有效提高产能。为达到上述目的，本技术采用如下技术方案—种半导体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室的腔室壁上设置有观察窗，所述反应腔室内部还设置有保护罩，所述保护罩罩设于所述观察窗上；所述保护罩相对于所述观察窗的一侧设置有开口 ；所述保护罩内设置有将经所述观察窗入射的光从所述开口射出或将经所述开口入射的光从所述观察窗射出的第一光学装置。本技术提供的半导体加工设备，在反应腔室内设置了保护罩以使观察窗不直接暴露于反应腔室中，同时通过保护罩内第一光学装置的设置使反应腔室外部的光能够经观察窗入射至反应腔室内部，显然反应腔室内部的光也能够经观察窗出射至反应腔室外部，因此，既能够通过观察窗对反应腔室内部情况进行有效监测，同时通过保护罩对观察窗进行了有效保护，从而有效避免半导体加工设备运行时观察窗上的粉尘沉积，明显延长了观察窗的使用周期，因此有效提高了产能。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的半导体加工设备的一种结构示意3图2为本技术实施例提供的半导体加工设备的另一种结构示意图图3为本技术实施例提供的半导体加工设备的另一种结构示意图图4为本技术实施例提供的半导体加工设备的原理示意图图5为本技术实施例提供的半导体加工设备的原理示意图图6为本技术实施例提供的半导体加工设备的原理示意图图7为本技术实施例提供的半导体加工设备的原理示意图图8为本技术实施例提供的半导体加工设备的另一种结构示意图图9为本技术实施例提供的半导体加工设备的原理示意图；图10为本技术实施例提供的半导体加工设备的原理示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。 基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术提供的半导体加工设备，如图1所示，包括反应腔室1，反应腔室1的腔室壁上设置有观察窗2，反应腔室1内部还设置有保护罩3，保护罩3罩设于观察窗2上；保护罩3相对于观察窗2的一侧设置有开口 30 ；保护罩3内设置有能够将从观察窗2入射的光L反射出开口 30或将从开口 30入射的光反射出观察窗2的第一光学装置400。本技术提供的半导体加工设备，在反应腔室1内设置了保护罩3，保护罩3使观察窗2不直接暴露于反应腔室1中，有效避免半导体加工设备运行时观察窗上的粉尘沉积，同时通过保护罩3内第一光学装置400的设置使反应腔室1外部的光能够经观察窗2 入射至反应腔室1内部，显然反应腔室1内部的光也能够经观察窗2出射至反应腔室1外部，因此，既能够通过观察窗2对反应腔室1内部情况进行有效监测，同时通过保护罩3对观察窗2进行了有效保护，从而有效避免半导体加工设备运行时观察窗2上的粉尘沉积，明显延长了观察窗2的使用周期，因此有效提高了产能。需要说明的是，本实施例中的第一光学装置400可以为各种光学元件或光学元件的组合，如平面镜、凸面镜、凹面镜、透镜或棱镜中的一种或几种，本技术对此不作限定。具体的，如图2所示，在本技术的一个实施例中，第一光学装置包括第一反射镜41和第二反射镜42。本实施例中的半导体加工设备包括反应腔室1，反应腔室1的腔室壁上设置有观察窗2，反应腔室1内部还设置有保护罩3，其中，保护罩3罩设于观察窗2上， 即保护罩3将观察窗2包围；保护罩3相对于观察窗2的一侧设置有开口 30 ；保护罩3内设置有第一反射镜41 和第二反射镜42，其中，第一反射镜41相对于观察窗2设置，第二反射镜42相对于第一反射镜41设置；反应腔室1外部的光线L能够通过观察窗2入射至第一反射镜41，经第一反射镜 41反射后入射至第二反射镜42，经第二反射镜42反射后，通过保护罩3的开口 30入射至反应腔室1内部。当然，毋庸置疑的，由于光路具有可逆性，反应腔室1内部的光线L能够通过保护罩3的开口 30入射至第二反射镜42，经第二反射镜42反射后入射至第一反射镜41，经第一反射镜41反射后通过观察窗2射出。本技术提供的半导体加工设备，在反应腔室1内设置了保护罩3，保护罩3使观察窗2不直接暴露于反应腔室1中，以CVD工艺为例，在半导体工艺过程中，保护罩2将使观察窗2与工艺气体所形成等离子体所隔离，有效避免了半导体加工设备运行时观察窗 2上的粉尘沉积，同时通过保护罩3内的第一反射镜41和第二反射镜42的设置使反应腔室1外部的光能够经观察窗2入射至反应腔室1内部，显然反应腔室1内部的光也能够经观察窗2出射至反应腔室1外部，因此，既能够通过观察窗2对反应腔室1内部情况进行有效监测，同时通过保护罩3对观察窗2进行了有效保护，从而有效避免半导体加工设备运行时观察窗2上的粉尘沉积，明显延长了观察窗2的使用周期，因此有效提高了产能。由于光路的可逆性，为了叙述简便，以下主要针对光由反应腔室1的外部透过观察窗2进入反应腔室1的内部的情况对本实施例进行说明。其中，第一反射镜41相对于观察窗2设置，具体的，第一反射镜41以一规定角度相对于观察窗2设置，以保证反应腔室1外部的光线通过观察窗2后入射至第一反射镜41。 其中，所述规定角度是指观察窗2所在平面与第一反射镜41所在平面的夹角的角度，可选的，该规定角度在0度至90度之间，例如，该规定角度为45度。其中，第一反射镜41和第二反射镜42相对设置，但第一反射镜41和第二反射镜 42之间的夹角角度不限。可选的，为了使光入射至第一反射镜41的方向，与经第二反射镜 42反射后的方向一致，第一反射镜41和第二反射镜42平行相对设置。需要说明的是，在本技术的其它实施例中，第一反射镜41与观察窗2以及第一反射镜41和第二反射镜42之间的夹角不限，均可根据入射光线的方向和本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室的腔室壁上设置有观察窗，其特征在于，所述反应腔室内部还设置有保护罩，所述保护罩罩设于所述观察窗上；所述保护罩相对于所述观察窗的一侧设置有开口；所述保护罩内设置有将经所述观察窗入射的光从所述开口射出或将经所述开口入射的光从所述观察窗射出的第一光学装置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贾士亮，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：11