复合碱土金属氧化物制造技术

本发明专利技术涉及含有氧化镁和氧化镁以外的碱土金属氧化物的复合碱土金属氧化物，本发明专利技术提供成膜用材料，其含有氧化镁和氧化镁以外的碱土金属氧化物，同时吸湿性低，且可以利用电子束蒸镀法或溅射法等物理气相生长法制造二次电子发射系数高的膜。复合碱土金属氧化物，其是按以镁和镁以外的碱土金属的摩尔比计为９８：２～８０：２０的范围的比例含有氧化镁和氧化镁以外的碱土金属氧化物，且相对密度为９５．０～９９．９％的范围的复合碱土金属氧化物，其中，进一步含有价数为３价、４价或５价的任一者的至少一种金属元素的氧化物，该金属元素的氧化物含量相对于上述碱土金属１摩尔、以该金属元素的量计为０．０００２～０．１摩尔的范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及含有氧化镁和氧化镁以外的碱土金属氧化物的复合碱土金属氧化物。 本专利技术的复合碱土金属氧化物可以有利地用作通过电子束蒸镀法或溅射法等物理气相生长法(PVD)制造含有氧化镁和氧化镁以外的碱土金属氧化物的膜时的膜材料。
技术介绍
交流型等离子体显示面板(以下，也称作为AC型PDP)通常包括作为图像显示面的前面板、和夹持填充了放电气体的放电空间而对向配置的背面板。前面板包括前面玻璃基板、在前面玻璃基板上形成的一对放电电极、被覆放电电极的介电体层、以及在介电体层的表面形成的介电体层保护膜。背面板包括背面玻璃基板、在背面玻璃基板上形成的寻址电极、被覆背面玻璃基板和寻址电极且分隔放电空间的隔板，以及配置于隔板表面的用红色发光荧光体、绿色发光荧光体、蓝色发光荧光体的各荧光体形成的荧光体层。介电体层保护膜保护介电体层免于受到来自放电空间内生成的等离子体造成的离子冲击，另外在AC型PDP的放电开始时，还具有发射二次电子而使放电开始电压降低的效果。因此，要求介电体层保护膜的耐溅射性高，并且二次电子发射系数高。作为满足这种要求的介电体层保护膜，目前广泛利用着氧化镁膜。作为介电体层保护膜用的氧化镁膜的成膜方法，广泛利用着电子束蒸镀法。电子束蒸镀法是指对于成膜用材料(蒸镀材料)照射电子束，使氧化镁气化，并使气化的氧化镁沉积在基体上而形成膜的方法。为了进一步降低AC型PDP的放电开始电压，有效的是提高介电体层保护膜的二次电子发射系数。已知对于碱土金属氧化物，二次电子发射系数以氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡的顺序逐次变高，正在研究介电体层保护膜中使用蒸镀膜的技术，所述蒸镀膜通过使用在氧化镁中添加了氧化镁以外的碱土金属氧化物的蒸镀材料并利用电子束法而制造。但是，碱土金属氧化物的吸湿性以氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡的顺序依次变高。即，含有氧化镁和氧化镁以外的碱土金属氧化物的蒸镀材料与仅含有氧化镁的蒸镀材料相比，吸湿性变高。对于在利用电子束蒸镀法制造膜的过程中使用的蒸镀材料，期望其吸湿性低。这是因为如果蒸镀材料吸附有水分，则在利用电子束蒸镀法制造膜时，水分会从蒸镀材料上依次脱离，蒸镀装置内的真空度变得不稳定，而难以制造均勻厚度的膜。应予说明，期望成膜用材料的吸湿性低，这即使对于溅射法也一样，所述溅射法是使由离子的冲击而从靶材飞溅出的粒子沉积在基体上而制造膜的方法。专利文献1中记载了氧化镁蒸镀材料，其是可有利地用于通过电子束蒸镀法来形成氧化镁膜的氧化镁蒸镀材料，所述氧化镁膜可用作AC型PDP的电介质层保护膜，该氧化镁蒸镀材料中含有氧化镁以外的碱土金属氧化物和金属元素的价数为3价、4价或5价的任一者的金属氧化物，所述氧化镁以外的碱土金属氧化物和金属元素的价数为3价、4价或5 价的任一者的金属氧化物各自换算成金属元素量为0. 005摩尔％以上，且其总量换算成金属元素量为6摩尔％以下。该专利文献1有下述主旨的记载碱土金属氧化物和金属元素的价数为3 5价的金属氧化物的含量以换算成金属元素量的摩尔比计优选为2:1 1:2 的范围，实施例中记载的氧化镁蒸镀材料的碱土即使农户氧化物和金属氧化物的含量以换算成金属元素量的摩尔比计为1:1。专利文献1 日本特开2005-330574号公报。
技术实现思路
专利文献1中记载的氧化镁蒸镀材料在利用电子束蒸镀法形成氧化镁膜时是有利的材料之一。但是，根据本专利技术人的研究表明，伴随蒸镀材料中含有的3 5价金属元素的氧化物的量变多，使用该蒸镀材料利用电子束法制造的蒸镀膜却存在碱土金属氧化物的添加所致的二次电子发射系数的提高效果相对变低的倾向。本专利技术的目的在于提供成膜用材料，其虽然含有氧化镁和氧化镁以外的碱土金属氧化物，但吸湿性低，且可以利用电子束蒸镀法或溅射法等物理气相生长法制造二次电子发射系数高的膜。本专利技术人为了解决上述课题反复进行了研究，结果发现只要氧化镁和氧化镁以外的碱土金属氧化物的含量比以镁和镁以外的碱土金属的摩尔比计为98:2 80:20的范围， 则即使令价数为3价、4价或5价的任一者的金属的氧化物添加量相对于镁以外的碱土金属1摩尔、以金属元素量计为0. 0002 0. 1摩尔的范围这样少的量，也可以得到相对密度高达95. 0 99. 9%，吸湿性被抑制到实用上没有问题程度的复合碱土金属氧化物，且使用该复合碱土金属氧化物利用物理气相生长法制造的膜具有高的二次电子发射系数，从而完成了本专利技术。因此，本专利技术在于复合碱土金属氧化物，其是按以镁和镁以外的碱土金属的摩尔比计为98:2 80:20的范围的比例含有氧化镁和氧化镁以外的碱土金属氧化物，且相对密度在95. 0 99. 9%的范围的复合碱土金属氧化物，其中，进一步含有价数为3价、4价或5 价的任一者的至少一种金属元素的氧化物，该金属元素的氧化物含量相对于上述碱土金属 1摩尔，以该金属元素的量计为0. 0002 0. 1摩尔的范围。复合碱土金属氧化物通常为颗粒等的块状物。本专利技术的复合碱土金属氧化物的优选方式如下所述。(1)氧化镁和氧化镁以外的碱土金属氧化物的含量，以镁和镁以外的碱土金属的摩尔比计为98 2 90 10的范围的比例。(2)氧化镁和氧化镁以外的碱土金属氧化物的含量，以镁和镁以外的碱土金属的摩尔比计为98:2 92:8的范围的比例。(3)价数为3价、4价或5价的任一者的金属元素的氧化物的含量，相对于碱土金属1摩尔、以该金属元素的量计为0. 002 0. 1摩尔的范围。(4)价数为3价、4价或5价的任一者的金属元素的氧化物的含量，相对于碱土金属1摩尔、以该金属元素的量计为0. 005 0. 05摩尔的范围。(5)价数为3价、4价或5价的任一者的金属元素的氧化物是选自硼、铝、锆、钛和硅中的至少一种金属元素的氧化物。本专利技术还在于包含上述本专利技术的复合碱土金属氧化物的、用于利用物理气相生长法进行成膜的材料。本专利技术还在于制造在基体上含有氧化镁和氧化镁以外的碱土金属氧化物的膜的方法，其包含使用上述本专利技术的复合碱土金属氧化物、并利用物理气相生长法使氧化镁和氧化镁以外的碱土金属氧化物气化、使气化的氧化镁和碱土金属氧化物沉积在基体上。物理气相生长法优选为对复合碱土金属氧化物照射电子束的方法。本专利技术还在于上述本专利技术的复合碱土金属氧化物的制造方法，其含有准备水性分散液的工序，该水分散液在水性溶剂中，按以镁和镁以外的碱土金属的摩尔比计为98:2 80:20的范围的比例分散有镁化合物的粒子和镁化合物以外的碱土金属化合物的粒子，且进一步溶解有水溶性金属化合物，该水溶性金属化合物含有价数为3价、 4价或5价的任一者的至少一种金属元素，该水溶性金属化合物的溶解量相对于该碱土金属1摩尔、以该金属元素的量计为0. 0002 0. 1摩尔的范围； 将该水性分散液干燥而得到粒状物的工序； 将该粒状物成形而得到块状物的工序； 将该块状物在1400 1700°C的温度下进行烧成的工序。本专利技术进一步在于上述本专利技术的复合碱土金属氧化物的制造方法，其含有准备水性分散液的工序，该水分散液在水性溶剂中，按以镁和镁以外的碱土金属的摩尔比计为98:2 80:20的范围的比例分散有镁化合物的粒子和镁化合物以外的碱土金属化合物的粒子，且进一步分散有金属化合物粒子，该金属化合物粒子是含有价数为3价、本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．复合碱土金属氧化物，其是按以镁和镁以外的碱土金属的摩尔比计为９８：２～８０：２０的范围的比例含有氧化镁和氧化镁以外的碱土金属氧化物、且相对密度为９５．０～９９．９％的范围的复合碱土金属氧化物，其中，进一步含有价数为３价、４价或５价的任一者的至少１种金属元素的氧化物，该金属元素的氧化物的含量相对于上述碱土金属１摩尔、以该金属元素的量计为０．０００２～０．１摩尔的范围。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：加藤裕三，
申请(专利权)人：宇部材料工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP