本实用新型专利技术公开了一种绑定芯片的柔性电路板及压接后的液晶面板，以解决现有技术中存在的绑定芯片的柔性电路板COF各电极之间的间距较大的问题，其中在绑定芯片的柔性电路板基板表面上设置有多个电极，电极与该表面相交的侧面上设置有绝缘膜，至少一个设置有绝缘膜的侧面一侧具有相邻电极，由于在电极与柔性电路板基板表面的相交的侧面设置有绝缘膜，从而解决了现有技术中存在的COF各电极之间的电极间距较大的问题。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及液晶显示器，尤其涉及一种绑定芯片的柔性电路板及压接后的液晶面板。
技术介绍
随着薄膜晶体管液晶显示器TFT IXD技术的不断发展，IXD制造厂商不断地追求成本最低化，生产效率最大化。模组Module段材料成本约占到LCD材料总成本的50 %左右，降低Module的材料成本对整体成本贡献有直接意义。微间距Fine Pitch技术的意义在于减少集成电路IC的颗数，减小薄膜Film面积，直接降低材料成本；提高压接Bonding 段的效率，产能最大化；降低设备投资，减少初期投资。所以对目前的Fine Pitch技术能力提升是很多LCD厂商长期追求的目标。如图1所示，TFT LCD制造首先在阵列/成盒Array/Cell段完成液晶面板104的制造，再到Module段完成绑定芯片的柔性电路板COF 102和印刷电路板PCBA 101的安装。 COF 102通过各项异性导电胶带ACF与cell面板104相连，PCBA 101通过ACF与COF 102 相连，COF 102上设有集成电路IC芯片103，从而形成驱动液晶面板的回路。液晶面板的分辨率向着高分辨率的方向发展，IC芯片103也向着越来越高的通道数方向发展，IC芯片103的通道数增加意味着分辨率不变的情况下可以减少IC芯片103 使用的个数，这对于成本的降低是十分有好处的。但同时也带来一些问题，IC通道数增加了，COF 102的Film上的导线数目也要相应的增加。如图2所示，COF 102结构分为输入侧 105和输出侧106，输入侧105与PCBA 101相连接，电极间距Lead Pitch较大，在200微米到400微米之间，输出侧106与cell面板104相连，Lead Pitch较小，在30微米到50微米之间。IC通道数增加意味着导线数增加，如果间距Pitch不缩小，Film的面积就将增大， 成本同样会上升，对于控制成本而言是不利的，所以把Pitch缩小，进行Fine Pitch的优化就变得很重要。Fine Pitch优化即寻找更好的方法缩小Pitch，满足产品及工艺要求。C0F102的 Pitch主要与三方面的因素有关，一是Bonding设备精度，二是最小绝缘距离，三是最小接触宽度，要进行Fine Pitch优化主要是对以上三个参数进行优化。cell面板104与COF 102压接结构如图3所示，COF 102的基板107是PI材质，输出侧导电电极Lead 108是铜材质，输出侧Lead 108的表面镀了一层锡，防止氧化，玻璃基板111侧的导电Lead是铟锡氧化物ITO材质，在ITO的侧面有绝缘的氮化硅层113保护；Cell面板104与COF通过ACF 连接，ACF中主要有两种物质，一是导电粒子109，另外是热固型树脂110。Bonding过程中施加高温高压把COF输出侧Lead 108与Cell面板Lead 112通过导电粒子109连接在一起，实现电路导通，热固型树脂起到物理连接的作用，保证连接强度。如图3所示，Pitch = W+G+2M(最小绝缘宽度用G表示，最小压接宽度用W表示， 设备起因偏移量用M表示)。设备起因的偏移量用M来表示，指COF输出侧Lead 108中心与Cell面板Lead 112中心的偏移量，起因是Bonding设备的精度问题，Bonding设备精度主要与设备厂商的制造水平有关，在可能的情况下尽量要求厂家提供精度最高的设备，并在生产制造过程中保证设备处于最佳状态，但设备起因的偏移不能不免，只能尽量减小；最小绝缘距离用G来表示，指Cell面板Lead 112与下一根COF输出侧Lead 108之间所允许的最小距离，即为了保证相邻两根端子不短路而设的最小距离，这个参数与ACF内导电粒子的大小和密度有关，导电粒子越大密度越高(即导电性越好)，最小绝缘距离就需要越大，反之最小绝缘距离就越小，而Fine Pitch要求最小绝缘距离越小越好；最小压接宽度用W来表示，是指COF输出侧Lead 108与Cell面板Lead 112为保证电路导通及稳定所需要的最小重合宽度，最小绝缘宽度与导电粒子的密度有关系，导电粒子的密度越大，单位面积内的导电粒子数越多，导电的面积越大(导电性越好)，所以重合宽度就可以缩小，最小压接宽度就小，这是Fine Pitch所希望的结果。但最小绝缘距离要求较小导电粒子的密度，最小压接宽度要求增大导电离子的密度，二者不能同时满足要求，所以目前业界的Fine Pitch优化水平还不能进一步有效地减小COF各电极之间的间距。由此可见现有技术中存在的COF各电极之间的间距较大的问题。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术中存在的COF各电极之间的间距较大的问题， 提供一种绑定芯片的柔性电路板，在绑定芯片的柔性电路板基板表面上设置有多个电极， 电极与该柔性电路板表面相交的侧面上设置有绝缘膜，至少一个设置有绝缘膜的侧面一侧具有相邻电极。进一步，在绑定芯片的柔性电路板基板表面上输出侧设置有多个电极，输出侧指柔性电路板与液晶面板相连接的一侧。进一步，各电极在输出侧电极与柔性电路板基板表面的两个相交的侧面上，均设置有绝缘膜。进一步，在两个相邻的电极之间的柔性电路板基板表面设置有绝缘膜。进一步，在输出侧电极与液晶面板的相对面的边缘形成台阶型绝缘膜，并与侧面上设置的绝缘膜相连接。进一步，绝缘膜的厚度为0. 1微米到 1微米。进一步，台阶型绝缘膜的台阶宽度为0. 5微米到 1微米。进一步，电极的厚度为10微米。本技术实施例还提供一种压接后的液晶面板(Open cell)，前述的柔性电路板和液晶面板通过各项异性导电胶带连接。进一步，各项异性导电胶带中的导电粒子的密度为10000-20000个每平方毫米， 导电粒子的大小为2-3微米。由于本技术方案在电极与柔性电路板基板表面的相交的侧面设置有绝缘膜， 从而解决了现有技术中存在的COF各电极之间的电极间距较大的问题。附图说明图1所示为现有技术中压接后的液晶面板Open cell结构图；图2所示为现有技术中绑定芯片的柔性电路板COF结构图；图3所示为现有技术中cell面板与COF压接结构图；图4所示为本技术提供的cell面板与COF压接结构图；图5所示为本技术提供的基板表面上沉积有绝缘膜的cell面板与COF压接结构图；图6所示为本技术提供的具有台阶型绝缘膜的cell面板与COF压接结构图。具体实施方式下面结合实施例和附图对本技术进行说明，现有技术中存在的绑定芯片的柔性电路板输出侧各电极之间的电极间距较大的问题，本技术实施例提供一种绑定芯片的柔性电路板，如图4所示Open cell的cell面板104与COF 102压接结构，在COF 102的基板107的表面上设置有多个Lead 108, Lead 108与该表面相交的侧面上设置有绝缘膜114， 至少一个设置有绝缘膜114的侧面一侧具有相邻Lead 108。由于在电极与柔性电路板基板表面的相交的侧面设置有绝缘膜，这就保证了相邻两根电极在距离较近的情况下，绝缘较好不会造成短路。基于此种结构，可以减少各电极之间的间距，以较小的间距在COF上布置电极。其它结构类似的玻璃基板111侧设有Cell面本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种绑定芯片的柔性电路板，其特征在于，在绑定芯片的柔性电路板基板表面上设置有多个电极，电极与该表面相交的侧面上设置有绝缘膜，至少一个设置有绝缘膜的侧面一侧具有相邻电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙延辉，张丹，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11
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