用于高精度和高分辨率的晶圆级纳米加工方法的光网格技术

用于在图样光投影照射时感测纳米加工元件（１６）的位置的晶圆级纳米计量系统（１０），所述图样光投影限定了一网格或位置测量准具，该系统包括稳频激光发射器（１２），该稳频激光发射器被配置为以选定的频率生成激光发射，其中该激光发射形成发散的光束，该光束被配置为照射被具有邻近面的目标加工对象（１８）所占据的选定区域。光图样生成器（１４）被激光（１２）所照射，并生成图样光投影网格或准具，以投影到目标加工对象（１８）上。可移动的工具或纳米加工元件（１６）承载着光传感器阵列（５０），该传感器阵列检测所述光投影网格的至少一部分，并且响应于所述检测，生成网格位置数据，以用于控制工具（１６）的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于高精度和高分辨率的晶圆级纳米加工方法的光网格相关申请的交叉引用本申请要求2008年9月9日提交的美国申请61/136493的权益及优先权，该美国申请的全部内容在此通过引用被并入。
技术介绍
1.专利
本专利技术总体上涉及纳米加工和纳米计量方法，并涉及高分辨率的用于制造和测量晶圆和基质中非常小的结构的系统。2.
技术介绍
描述当制造在从晶圆截取的微小硅芯片表面上包含数百万个微型电路单元的集成电路(IC)时，需要在制造晶圆上进行高分辨率的纳米加工，所述晶圆典型地由硅或多晶硅或者其它半导体材料制成。这些芯片被用于制造诸如计算机处理器、存储器芯片和许多其它设备的IC。最近，纳米加工也被用于在晶圆或基质中制造多种不同的脱模结构(released structure)，其被称为机械微结构(“MEMS”)。晶圆常规上用活性光阻材料来涂层，然后曝光于所选择的图样，所选择的图样可以在掩膜上限定，或者可以无需掩膜而用激光或电子束投影到晶圆上。光阻材料随后以允许有选择性地去除晶圆的被曝光部分的方式被刻蚀或处理。在曝光期间，晶圆或基质通常在一环境可控的箱体内被支撑在可移动的“台架”上。对于那些不采用掩膜的系本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于在图样光投影照射时感测纳米加工元件的位置的晶圆级纳米计量系统，所述图样光投影限定了网格或位置测量准具，包括：（ａ）稳频激光发射器，该稳频激光发射器被配置为以选定的频率生成激光发射，其中所述激光发射形成发散的光束，该光束被配置为照射被具有邻近面的目标加工对象所占据的选定区域；（ｂ）光图样生成器，该光图样生成器被配置为被所述激光发射所照射，并生成图样光投影网格，以投影到目标加工对象的邻近面上；（ｃ）可移动的纳米加工元件，该纳米加工元件在选定的表面上承载着光传感器阵列，所述传感器阵列被配置为检测所述图样光投影网格的至少一部分，并且响应于所述检测，被配置为生成投影网格位置数据；以及（ｄ）计...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿密特·拉尔，
申请(专利权)人：康奈尔大学，
类型：发明
国别省市：US