【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种产品、其作为蚀刻溶液的添加物或成份的用途、及其制造方法。
技术介绍
在对材料进行蚀刻时，人们通常努力获得在蚀刻的种类、位置和/或程度上确定的蚀刻结果。当蚀刻半导体材料时特别是这种情况，例如在制造电子器件或太阳能电池时。 多数娃，以及其他多晶娃，被用作半导体材料，而多晶硅在多晶硅太阳能电池的制作中得到了工业规模的应用。然而多晶材料特别是多晶硅的确定的蚀刻是昂贵的，因为多数溶液对不同晶粒和可能出现的晶体缺陷的蚀刻程度不同。这是例如基于碱性氢氧化物的蚀刻溶液的情况，该蚀刻溶液在蚀刻特别是硅片的纹理蚀刻中有着工业规模的应用。当然可以采用其他的蚀刻溶液，这些溶液均勻地蚀刻半导体材料而不论晶向和晶体缺陷如何。但它们的工业规模的使用是有问题且昂贵的，主要原因是安全和处理，所以基于基于碱性氢氧化物的碱性蚀刻溶液经常是优选的，尽管它们有各向异性的蚀刻效果。为了能利用碱性蚀刻溶液获得确定的蚀刻结果，需要针对所具体使用的硅材料， 精确地协调蚀刻过程。影响如蚀刻时间、蚀刻溶液的成份和蚀刻温度的腐蚀参数的因素，可以是所使用的半导体材料的不同晶体结构(例如各种方法制造的...
【技术保护点】
１．一种产品（６４），该产品可利用以下处理获得：把至少一种聚乙二醇与一种碱混合，使该混合物（５２）在空气环境中和大约２５℃的温度下静置，直到形成两相（５６，５８），分离（１６）较低浓度的相（５６），该较低浓度的相代表了产品。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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