改善的晶圆级芯片尺寸封装制造技术

描述了一种改善的晶圆级芯片尺寸封装技术，其不使用包封通孔在重定向层和半导体管芯上的焊盘环之内的焊盘之间进行连接。在实施例中，形成第一电介质层，使其终结于每个管芯上的管芯焊盘环之内。然后在导电层中形成迹线，其接触焊盘之一并且设置于开口边缘上方到达第一电介质层的表面上。可以使用这些迹线来形成焊盘和焊球之间的电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】改善的晶圆级芯片尺寸封装
技术介绍
用于封装半导体管芯的技术进展正在被市场对更小、成本更低且具有越来越多功能的电子器件的需求所驱动。芯片尺寸封装(CSP)包括若干不同的封装技术，其中被封装管芯的尺寸仅稍大于管芯自身的尺寸(例如，面积比不超过1.2 1)。在CSP的一个范例中，可以向其上形成有焊球(或凸起)的封装(例如球栅阵列封装)上安装管芯，使得管芯利用引线键合电连接到封装，并可以利用BGA技术或倒装芯片键合将组装的封装安装到印刷电路板(PCB)上。在晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)(也称为晶圆水平的封装)中，在将晶圆切割成管芯个体之前，在半导体晶圆上直接形成焊球(或凸起)。这样获得了非常紧凑的封装管芯并且实现了封装管芯的晶圆尺寸测试，这可能在成本和效率方面有益。
技术实现思路
提供这一
技术实现思路
以简化形式介绍精选的概念，在下文的具体实施方式中会进一步描述。该
技术实现思路
并非要标识所主张主题的关键特征或基本特征，也不是要用作确定所主张主题范围时的辅助。描述了一种改善的晶圆级芯片尺寸封装技术，其不使用包封通孔(encapsulated via)在重定向层和半导体管芯上的焊盘环之内的焊盘之间进本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种封装半导体器件，包括：半导体管芯（３０１），所述半导体管芯（３０１）包括绕所述管芯的有源面的周边布置的多个焊盘（３０９，６０３）；形成于所述有源面上的第一电介质层（３０３，６０１），其中所述第一电介质层终结于所述管芯的有源面的周边周围的多个焊盘之内；形成于导电层中的多条迹线（３０５，４０１），其中每条迹线连接到所述多个焊盘之一并且包括形成于所述第一电介质层上的上部；布置成包封所述有源面的第二电介质层（３０４）；以及多个焊料元件（３０７），每个所述焊料元件电连接到迹线的上部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·霍兰，
申请(专利权)人：剑桥硅无线电通信有限公司，
类型：发明
国别省市：GB