具有组装数据线的存储器系统技术方案

一种存储系统包括三维存储器阵列，该三维存储器阵列具有被分组成块的多层非易失性存储元件。块被分组成隔区。该存储系统包括与存储元件通信的第一类型的阵列线、与存储元件通信的第二类型的阵列线、以及感测放大器。每个块位置上（ｇｅｏｇｒａｐｈｉｃａｌｌｙ）与两个感测放大器相关联，并且具体隔区的所有块共享与该具体隔区的块相关联的一组感测放大器。该系统包括在三维存储器阵列以下一个或多个传送金属层中的局部数据线的多个集合、以及在该三维存储器阵列以上的一个或多个顶部金属层中的全局数据线的多个集合。一个或多个块的每个集合包括局部数据线的一个集合。每个隔区包括连接到与各个隔区的块相关联的该组感测放大器的全局数据线的一个集合。每个块包括第一选择电路的子集，用于选择性地将第一类型的阵列线的子集耦接到各个局部数据线。每块包括第二选择电路的子集，用于选择性地将各个局部数据线的子集耦接到与相应隔区相关联的全局数据线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及数据存储的技术。
技术介绍
半导体处理技术和存储器单元技术进来的发展继续增加在集成电路存储器阵列 中实现的密度。例如，某些存储器阵列可能被制造为具有接近具体字线互连层的最小特征 大小(F)和最小特征间隔的字线以及还具有接近具体位线互连层的最小特征宽度和最小 特征间隔的位线。此外，具有多于一个平面或级别的存储器单元的三维存储器阵列已经被 制造为在每个存储器平面上实现所谓的4F2存储器单元。在Johnson的题为“Vertically Stacked Field Programmable Nonvolatile Memory and Method of Fabrication，，的美国 专利 No. 6034882 中禾口 Zhang 的题为"Three-Dimensional Read-Only Memory Array，，的美 国专利No. 5835396中描述了示例三维存储器阵列。当每条位线和字线上的存储器单元的数量大时，三维存储器阵列最有效。该单元 的数量经常被称作位线或字线的扇出(N)。大的扇出降低每个存储器层和下面的电路上的 阵列线之间的垂直连接的数量。这些本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种数据存储系统，包括：多个数据存储元件；多条信号线，位于所述多个数据存储元件内，并与所述多个数据存储元件通信；多条局部数据线，在所述多个数据存储元件以外，所述局部数据线的不同子集经由所述信号线选择性地与所述数据存储元件的不同子集通信；多条全局数据线，在所述多个数据存储元件以外，并选择性地与所述局部数据线的多个子集通信；以及控制电路，连接到所述全局数据线。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜天鸿，
申请(专利权)人：桑迪士克三D有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US