本发明专利技术的目的在于提供对于防静电、切割时的芯片飞溅、拾取时的操作性和粘合剂残留物均具有良好的特性的粘合带或片。所述粘合带或片具有如下的粘合剂层：相对于１００重量份丙烯酸系粘合剂，含有０．３～１０重量份聚醚多元醇化合物和０．００５～２重量份至少一种碱金属盐，所述丙烯酸系粘合剂由丙烯酸单体、和丙烯酸２－乙基己酯单体、和丙烯酸甲酯单体和／或丙烯酸乙酯单体的共聚物构成。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及粘合带或片，更详细而言，涉及具有基材和粘合剂层、可适宜地用于半 导体晶片和/或基板加工用途的粘合带或片。
技术介绍
迄今，作为贴合于半导体晶片和/或基板、进行切割、扩展(expanding)等、接着拾 取这些半导体晶片等并同时进行安装时使用的半导体晶片等的加工用片，使用基材上涂布 有通过电子射线来进行聚合固化反应的粘合剂层的粘合片。对于该粘合片，在切割之后，对 粘合剂层照射电子射线，从而使粘合剂层聚合固化，使粘合力降低，可容易地拾取半导体晶 片(芯片)O作为这样的粘合片，例如提出了具有基材和粘合剂层的片(例如专利文献1和2)。 在这些片中，粘合剂层含有基础聚合物、和具有规定分子量的多官能聚氨酯丙烯酸酯系低 聚物、和聚酯系增塑剂、和光聚合引发剂而形成。然而，最近，晶片表面存在由激光照射产生的深度5 10 μ m左右的印字标记的晶 片在增加。另外，在半导体装置中，作为粘合带贴附面的密封树脂面具有0.4 15ym左右 的粗糙面的装置、与晶片同样存在深度25 40 μ m的印字标记的装置也在增加。在切割这样的具有凹凸的半导体晶片等时，上述粘合片对贴附面的凹凸追随不充 分，因此无法获得充分的粘合力，结果，会产生切割时发生晶片等的飞溅、成品率大幅降低 的不利情况。另外，有时也会发生飞溅的晶片等撞击切割刀片、使刀片损坏的不利情况。进而，为了无论有无凹凸都不使切割时发生芯片飞溅，提出了在粘合剂中添加赋 粘剂的方法(例如专利文献幻。对于该赋粘剂，将根据Jis K0070-1992的7. 1中和滴定法 得出的羟基值调整为50 150K0Hmg/g，从而提高粘合力，防止PKG飞溅。另一方面，近年来，随着考虑环境的产品化的潮流，在密封树脂中使用基于不同于 以往的种类的金属皂的稳定剂作为添加剂、或者应用脱卤阻燃剂，为了与此相应地维持密 封树脂的特性而使用不同于以往的种类/组成等的树脂。因此，由于在作为被粘物的半导体装置等中使用的密封树脂等的这种变迁，使得 如果仅使用专利文献3中提出的特定的赋粘剂，则会发生无法完全防止切割时的芯片飞溅 这样的新的不利情况。另外，在被粘物中的密封树脂和/或添加剂的种类、密封树脂表面通常所涂布的 脱模剂(例如蜡)的量过少或者不均勻等不适当的情况下等，粘合剂层的粘合力在紫外线 照射之后无法降低到规定的值。因此，有时在拾取工序中无法拾取单个片。强行拾取时，会 产生从密封树脂内部发生剥落、密封树脂表面整面发生残胶这样的不利情况。进而，随着近年来的半导体基板布线的微细化，基板耐电压降低，由工序中产生的 静电或剥离带电导致基板的电路破坏、产品缺陷。对此，提出了实施过防静电处理的粘合片(例如专利文献4)。专利文献1 日本特开平6-49420号公报专利文献2 日本特开昭62-153376号公报专利文献3 日本特开2005-2^040号公报专利文献4 日本特开平6-128539号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，该粘合片虽然具有优异的防静电效果，但对于上述切割时的芯片飞溅、拾取 时的操作性和粘合剂残留物未必均具有可令人满意的特性。因此，期望获得对于防静电、切割时的芯片飞溅、拾取时的操作性和粘合剂残留物 均具有良好的特性的粘合片。本专利技术的一个目的在于提供对于防静电、切割时的芯片飞溅、拾取时的操作性和 粘合剂残留物均具有良好的特性的粘合带或片。用于解决问题的方案本专利技术的粘合带或片的一个特征在于，其具有如下的粘合剂层相对于100重量 份丙烯酸系粘合剂，含有0. 3 10重量份聚醚多元醇化合物和0. 005 2重量份至少一种 碱金属盐，所述丙烯酸系粘合剂由丙烯酸单体、和丙烯酸2-乙基己酯单体、和丙烯酸甲酯 单体和/或丙烯酸乙酯单体的共聚物构成。优选的是，在该粘合带或片中，粘合剂层形成于对紫外线和/或辐射线具有透过 性的基材上，前述粘合剂层进一步含有至少一种以上的紫外线固化型低聚物。另外，优选的是，粘合剂层进一步含有羟基值为120 230K0Hmg/g的赋粘剂。进而，优选的是，对与粘合剂层接触的基材进行了防静电处理。另外，优选的是，其用于半导体晶片或基板加工用途。进而，优选的是，聚醚多元醇化合物具有4000以下的重均分子量。另外，优选的是，碱金属盐是通过将从由Li、Na、K、Mg、Ca组成的阳离子与由Cl、 Br、I、BF4、PF6、C104、N03、C03组成的阴离子中分别选择的一种以上离子组合而成的。专利技术的效果根据本专利技术的粘合带或片，在半导体晶片等的切割时，能可靠地防止晶片等的飞 溅。另外，在照射电子射线之后的拾取工序中不发生残胶，可提高操作效率。此外，可以减 少因工序中产生的静电或剥离带电而发生的半导体晶片等的电路破坏、产品缺陷等。具体实施例方式本专利技术的粘合带或片具有规定的粘合剂层。粘合剂层通常含有丙烯酸系粘合剂、和聚醚多元醇化合物、和碱金属盐来形成。丙烯酸系粘合剂通过下述共聚来构成(1)丙烯酸甲酯单体、和丙烯酸单体、和丙 烯酸2-乙基己酯单体的共聚；( 丙烯酸乙酯单体、和丙烯酸单体、和丙烯酸2-乙基己酯 单体的共聚；或(3)丙烯酸甲酯单体、和丙烯酸乙酯单体、和丙烯酸单体、和丙烯酸2-乙基 己酯单体的共聚。通过配合这样的共聚物来形成粘合剂，可以满足防静电、抑制切割时的芯片飞溅、 提高拾取时的操作性和减少粘合剂残留物这样的尽管一直寻求却未能实现的所有特性。即，可强力地粘合被粘物，同时在适当的时间确实地减少粘合力，确保作为粘合剂层总是具 有适当的强度。而且，对于为了防静电而配合的成分，确保足以防静电的量，并且，对构成粘 合剂层的所有成分显示良好的相容性、消除成分在粘合剂层中的不均勻性、分离、偏移等来 均勻地混合和分布，从而可以最大限度地发挥各成分的各种性能。在这些共聚物中，丙烯酸甲酯单体和/或丙烯酸乙酯单体、和丙烯酸单体、和丙烯 酸2-乙基己酯单体例如适合为按40 70 0.5 20 30 60的比例聚合，优选为按 45 75 1 15 30 50的比例聚合。通过设定为该范围，即使在为了构成粘合剂层 而添加添加剂的情况下，也能确保与添加剂的相容性。另外，即使在长时间贴附的状态下， 也能防止粘合力的增减、防止由热影响导致的粘合力增加等。进而，可以提供对于应力具有 充分的强度的粘合剂层，可以在拾取工序中防止粘合剂残留等不利情况。这些共聚物的分子量例如为30万 150万，特别优选为50 120万。通过设定 为该范围，相对于照射紫外线等后的粘合剂层中的应力，可以具有充分的强度。结果，在拾 取等时，可以防止粘合剂残留等不利情况。另外，即使在为了构成粘合剂层而添加添加剂的 情况下，也能确保与添加剂的相容性，可在粘合力、防静电等方面获得稳定的特性。聚醚多元醇化合物通常由聚合物分子中的醚键与碱金属形成络合物，通过这种结 构来赋予导电性。作为聚合物分子，例如可例示出聚氧乙二醇，聚氧丙二醇，聚氧乙二醇与 聚氧丙二醇的嵌段共聚物等。作为该聚醚多元醇化合物，没有特别限定，可以使用任意一种公知的物质。例如 可以使用日本特开2007-70420等中记载的导电性赋予剂等。具体而言，可列举出商品名 SANNIX (三洋化成工业公司制造)的 PP-400、PP-1000、PP-2000、GP-400、GP-600、TP本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种粘合带或片，其具有如下的粘合剂层：相对于１００重量份丙烯酸系粘合剂，含有０．３～１０重量份聚醚多元醇化合物和０．００５～２重量份至少一种碱金属盐，所述丙烯酸系粘合剂由丙烯酸单体、和丙烯酸２－乙基己酯单体、和丙烯酸甲酯单体和／或丙烯酸乙酯单体的共聚物构成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：新谷寿朗，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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