粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置。将比用于构成腔室的成对的罩的外形大的粘合带粘贴于该成对的罩中的下罩上的用于成对的罩接合的接合部，该下罩与上罩一起夹住该粘合带而构成腔室之后，一边使靠以与该粘合带的粘合面接近并相对的方式配置的晶圆的一侧的空间的气压低于另一个空间的气压，一边将该粘合带粘贴于晶圆。通过加压构件的扁平面来对粘贴于晶圆的电路形成面上的粘合带的表面进行加压而使其平坦化。根据该晶圆的电路状态和粘合带的特性选择性地进行粘合带表面的加压处理。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置。将比用于构成腔室的成对的罩的外形大的粘合带粘贴于该成对的罩中的下罩上的用于成对的罩接合的接合部，该下罩与上罩一起夹住该粘合带而构成腔室之后，一边使靠以与该粘合带的粘合面接近并相对的方式配置的晶圆的一侧的空间的气压低于另一个空间的气压，一边将该粘合带粘贴于晶圆。通过加压构件的扁平面来对粘贴于晶圆的电路形成面上的粘合带的表面进行加压而使其平坦化。根据该晶圆的电路状态和粘合带的特性选择性地进行粘合带表面的加压处理。【专利说明】粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置
本专利技术涉及一种粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置，该粘合带包括用于保护被形成于半导体晶圆的电路图案的保护带、粘贴于环形框和被载置在该环形框的中央的半导体晶圆的背面而使环形框和半导体晶圆成为一体的切割带。
技术介绍
通常，在半导体晶圆(以下，适当称为“晶圆”)的表面形成有许多元件的电路图案。例如，在晶圆表面形成有凸块、精细电路。因此，为了保护该电路表面而粘贴保护带。由于晶圆表面的凸块等凹凸的影响而在粘贴后的保护带的表面也产生相同的凹凸。因此，在保护带的粘贴处理之后，自该保护带的表面侧按压保护带而使构成该保护带的基材的表面平坦化(参照日本特开2010 - 45189号公报)。然而，在上述以往方法中，产生了如下那样的问题。近年来，由于TSV (Through-SiIicon Via:娃通孔)、IGBT (Insulated GateBipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)、MEMS (Micro Electro Mechanical System:微电子机械系统)等的封装，形成于晶圆表面的电路被要求包括间距比以往的间距狭窄的凸块、体积比以往的体积大的凸块在内的精细化。另外，与所制造的上述封装相对应地分别使用不同特性的保护带。例如，基材的硬度、带厚度等特性不同。在日本特开2 010 — 45189号公报所记载的以往的装置中，在大气状态下将保护带粘贴于晶圆表面。此时，一边对带状的保护带沿输送方向施加张力，一边使粘贴辊在该保护带的表面滚动地按压该保护带，从而将保护带粘贴于晶圆表面。因而，保护带的长度方向的张力大于保护带的宽度方向的张力，保护带会在易于产生褶皱的状态下粘贴于晶圆表面。因此，粘合剂不能追随并完全进入因晶圆表面上的凸块的狭窄的间距等而形成的凹凸。换言之，保护带没有与晶圆表面密合。在该状态下对保护带表面进行再次加压时，根据保护带种类的不同，即使能够使保护带的表面平坦化，也必须对保护带施加比使单片保护带平坦化所需要的理论载荷大的载荷，才能提高保护带与晶圆表面密合的密合性。然而，当提高载荷时存在使具有凸块等的电路破损这样的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的情况而做成的，其目的在于提供不管形成于半导体晶圆的电路的状态如何都能够精度良好地粘贴粘合带的粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置。因此，本专利技术为了达到这样的目的而采用如下技术方案。即，一种粘合带粘贴方法，其是将粘合带粘贴于半导体晶圆的电路形成面的粘合带粘贴方法，其中，上述粘合带粘贴方法包括以下过程--第I粘贴过程，在该第I粘贴过程中，将比用于构成腔室的成对的罩的外形大的上述粘合带粘贴于上述成对的罩中的一个罩上的用于上述成对的罩接合的接合部；第2粘贴过程，在该第2粘贴过程中，在夹住上述粘合带地将成对的罩接合之后，一边使靠以与该粘合带的粘合面接近并相对的方式配置的上述半导体晶圆的一侧的空间的气压低于另一个空间的气压，一边将该粘合带粘贴于半导体晶圆；以及加压过程，在该加压过程中，通过加压构件的扁平面来对粘贴于上述半导体晶圆的电路形成面的粘合带的表面进行加压而使其平坦化，在该粘合带粘贴方法中，根据上述半导体晶圆的电路状态和粘合带的特性选择性地进行加压过程的加压处理。采用该方法，通过在腔室内使容纳有半导体晶圆的一侧的空间的气压低于另一个空间的气压，从而使均匀的按压作用于由成对的罩夹住的粘合带的整个表面。因而，能够在不产生褶皱等且不会因过度按压而使表面的凸块等破损的情况下将粘合带粘贴于半导体晶圆。另外，能够利用减压作用使气泡自半导体晶圆表面的凹部脱出，并使粘合剂追随该半导体晶圆表面的凹凸形状而与半导体晶圆的表面的凹凸形状密合。另外，在利用腔室内的压力差而粘贴于半导体晶圆的粘合带的表面上由于凸块等的影响而形成有凹凸的情况下，只要通过选择地进行加压过程的加压处理来施加仅能够使粘合带的表面平坦的程度的加压即可。因而，不会因该加压处理而使半导体晶圆的电路破损。并且，在粘合带为在背磨前粘贴于晶圆的电路形成面的表面保护用的粘合带时，能够抑制背磨后的晶圆的厚度的偏差。即，不管粘合带的特性、晶圆的电路形成面的状态如何，都能够使粘合带的表面平坦化。在上述方法中，优选的是，在第I粘贴过程中，从被剥离构件折回而自隔离膜剥离并突出的粘合带的顶端侧起，一边利用粘贴构件按压粘合带，一边将该粘合带粘贴于罩的接合部。在该情况下，与一边对带状的粘合带沿长度方向施加张力一边将该粘合带粘贴于晶圆的以往方法相比，能够在没有张力不均匀(这里的“张力不均匀”是指一个方向上的张力大于另一个方向上的张力)的状态下将粘合带粘贴于罩的接合部。因而，能够一边在腔室内利用压力差对粘合带施加均匀的张力一边将粘合带粘贴于晶圆的电路形成面。在上述方法中，优选的是，在加压过程中，一边利用加热器加热粘合带，一边对粘合带进行加压。在该情况下，由于能够利用加热使构成粘合带的粘合剂和基材软化，因此易于使粘合带变形。此外，在上述方法中，加压过程中的加压处理能够通过如下方式实施。例如，在将腔室内维持在减压状态下对粘合带进行加压。或者，在解除两罩的接合后的大气状态下对粘合带进行加压。另外，本专利技术为了达到上述目的而采用如下技术方案。S卩，一种粘合带粘贴装置，其用于将表面保护用的粘合带粘贴于半导体晶圆的电路形成面，其中，上述粘合带粘贴装置包括:保持台，其用于保持上述半导体晶圆；腔室，其由用于容纳上述保持台的成对的罩构成；带供给部，其用于供给比上述罩的外形大的上述粘合带；带粘贴机构，其用于将粘合带粘贴于上述罩中的一个罩上的用于上述成对的罩接合的接合部；加压机构，其通过配备在该腔室内的加压构件的扁平面来对以使腔室内的由上述粘合带分隔而成的两个空间产生压力差的方式粘贴于半导体晶圆的粘合带的表面进行加压；用于沿着上述半导体晶圆的外形切割粘合带的切割机构；剥离机构，其用于将被切下上述半导体晶圆的形状的部分后的粘合带剥离；以及带回收部，其用于回收剥离后的上述粘合带。采用该装置，能够利用加压机构使因半导体晶圆的表面的电路的凹凸而在表面保护用的粘合带的表面产生的凹凸平坦化。因而，能够抑制在背磨处理时容易产生的厚度的偏差。S卩，能够适宜地实施上述方法。优选的是，上述装置包括:剥离构件，其用于将粘合带自隔离膜剥离而使该粘合带突出；粘贴辊，其用于对自上述剥离构件突出的粘合带的顶端进行按压；以及用于在粘贴末端位置将粘合带的后端切断的切割机构。采用该结构，能够在抑制了张力不均匀的状态下将粘合带粘贴于罩的接合部。因而，在向半导体晶圆进行带粘贴时，能够在腔室内利用压力差对粘合带的整个表面施加均匀的张力。优选的是，上述装置包括移动机构，该移动机构将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粘合带粘贴方法，其是将粘合带粘贴于半导体晶圆的电路形成面的粘合带粘贴方法，其中，上述粘合带粘贴方法包括以下过程：第1粘贴过程，在该第1粘贴过程中，将比用于构成腔室的成对的罩的外形大的上述粘合带粘贴于上述成对的罩中的一个罩上的用于上述成对的罩接合的接合部；第2粘贴过程，在该第2粘贴过程中，在夹住上述粘合带地将成对的罩接合之后，一边使靠以与该粘合带的粘合面接近并相对的方式配置的上述半导体晶圆的一侧的空间的气压低于另一个空间的气压，一边将该粘合带粘贴于半导体晶圆；以及加压过程，在该加压过程中，通过加压构件的扁平面来对粘贴于上述半导体晶圆的电路形成面的粘合带的表面进行加压而使其平坦化，在该粘合带粘贴方法中，根据上述半导体晶圆的电路状态和粘合带的特性选择性地进行加压过程的加压处理。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金岛安治，长谷幸敏，村山拓，山本雅之，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP