减少基材上粒子污染的平台及其方法技术

本发明专利技术揭示减少基材上粒子污染的技术。在一特殊实施例中，此技术可以一具有多个不同区域的平台来实施，其中这些区域中的压力值可实质上相同。举例来说，平台可包括一平台主体，其包括第一与第二凹陷，第一凹陷定义出一流体区域用以保持流体以维持基材的温度于一预定温度，第二凹陷定义出一第一凹槽用以保持一接地电路；一第一介层窗定义于平台主体中，第一介层窗具有第一与第二开口，第一开口邻近于流体区域，而第二开口邻近于第一凹槽，其中流体区域的压力值可维持在一准位，且此准位实质上相等于第一凹槽的压力值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用以支撑一基材的平台装置，尤其涉及一种于处理基材时减少粒 子污染的平台及其方法。
技术介绍
离子植入或掺杂为制造电子装置中多个处理过程中的一个过程。于现有的技术 中，可利用束线离子植入系统来执行离子植入。图1为束线离子植入系统的方块图。现有 的离子植入系统100可包括一离子源104、多个束线(beam-line)元件以及一末端站(end station)。于现有技术中，离子源104可用来产生所要种类(species) 102的离子。产生的 离子可以藉由束线元件105而从离子源104取出。类似于一连续的光学透镜来操作一光束， 束线元件105操作各离子102使成为离子束102且使离子束102朝向一晶圆106与一支撑 该晶圆106的平台108所在的末端站110。离子束直接朝着末端站而射入于晶圆106上且 离子植入得以进行。离子植入也可利用一等离子体掺杂(PLAD)或等离子体浸没离子植入(PIII)系统 来进行。在等离子体掺杂系统中，晶圆106与支撑该晶圆106的平台108是配置于一处理 室中。同时，包含一所要种类的处理(process)气体是进入于等离子体掺杂系统的等离子 体源中。于有些系统中，等离子体源可邻近处理室。于其他系统中，等离子体源可移开且远 离处理室。接着，该处理气体可转换成等离子体210，其包含电子、所要种类的离子202、中 子与/或残余物。晶圆106可以加偏压，且所要种类的离子202可以植入于晶圆中。平台108可在离子植入时用以支撑该晶圆106。平台108可包括多个静电地钳紧 (clamp)该晶圆106至平台108的电极(未绘示)。于其他实施例中，平台108可以使晶圆 106在多个不同方向中移动(例如，平移、旋转、倾斜等)。平台108可用来控制多个离子置入的参数。举例来说，平台108可用来维持晶圆 106的温度在一所要值。因为离子植入过程为一需能量的过程，晶圆106的温度会提升至 超过所所要的温度。一般来说，平台108是用来防止基材过热。现有的平台可具有沿着已 安装的晶圆106而设置的冷却凹陷(未绘示)，其可定义出一冷却区域(未绘示)。冷却气 体可引入于冷却区域中且维持在一预定压力，如此使气体可接触到晶圆106与冷却的晶圆 106。平台108可用来控制其他的植入参数，包括晶圆106中防止过度的充电增长。现有 技术中，当晶圆106以充电的离子来轰击时，过度充电会在晶圆106中形成。过度充电的形 成会造成电弧且导致晶圆106的严重失效。此外，充电的形成会于完成离子植入过程后使 晶圆106由平台108松开(de-clamped)时受到阻碍。为了避免过度充电的形成，晶圆106 与206可包含一或多个接地电路(未绘示)，其将晶圆106电性连接至地面且降低过度充电 的形成。在现有的平台108中，平台108的部分是直接连接至晶圆106。这样的接触会产生 碎片。碎片会漂移至晶圆106的前侧，且此侧即为离子束所射入的那侧。邻近该晶圆106的前侧的碎片是不利的，此乃因碎片会干涉植入过程，且最后会造成小于最佳效果的设备。 因此，改进的平台是需要。
技术实现思路
本专利技术揭示减少基材上粒子污染的技术。在一实施例中，此技术可以一具有多个 不同区域的平台来实施，其中这些区域中的压力值可实质上相同。举例来说，平台可包括一 平台主体，其包含第一与第二凹陷，第一凹陷定义出一流体区域用以保持流体以维持基材 的温度于一预定温度，第二凹陷定义出一第一凹槽(cavity)用以保持一接地电路；一第一 介层窗(via)定义于平台主体中，第一介层窗具有第一与第二开口，第一开口邻近流体区 域，而第二开口邻近第一凹槽，其中流体区域的压力值可维持在一准位，且此准位实质上相 等于第一凹槽的压力值。依据本实施例的另一方面，流体区域可与第一凹槽处于压力平衡。依据本实施例的又一方面，流体区域可与第一凹槽处于流体相通。依据本实施例的其他方面，平台可还包括一流体通道，其中流体区域通过流体通 道而使流体流通于第一凹槽。依据本实施例的其他方面，流体通道可提供于平台主体内。依据本实施例的其他方面，流体通道可提供于接地电路内。依据本实施例的其他方面，接地电路可包括一接地引脚(pin)，其具有一引脚主体 与一套管(sleeve)，且流体通道可提供于套管内。依据本实施例的其他方面，接地电路可包括一接地引脚，其具有一引脚主体与一 套管，其中流体通道可提供于引脚主体内。依据本实施例的其他方面，接地电路可包括一接地引脚，其具有一引脚主体与一 透气的(porous)套管，其中流体通道可提供于透气套管内。依据本实施例的其他方面，流体通道可为一沟槽(groove)的形式。依据本实施例的其他方面，接地电路可包括一接地引脚，其具有一引脚主体与一 套管，其中流体通道可为一沟槽的形式，且沟槽可提供于套管内。依据本实施例的其他方面，沟槽可延伸于一方向。依据本实施例的其他方面，沟槽可为一螺旋状沟槽。在另一实施例中，接地引脚用以将一基材连接于地面且可包括一引脚主体以及一 套管。套管支撑引脚主体，其中套管可包括一流体通道，以传输流体。依据本实施例的另一方面，流体通道可为一沟槽的形式，配置于套管的一外表面 与一内表面至少其中之一。依据本实施例的其他方面，流体通道可为一介层窗的形式，配置于套管的一外表 面与一内表面之间。依据本实施例的其他方面，沟槽为一螺旋状沟槽。在又一实施例中，技术上可通过装载基材于一平台上来实施；引进流体于一流体 区域，其邻近基材与平台的平台主体；维持流体区域于一第一压力值；以及维持平台主体 所定义出的一第一凹槽于一第二压力值，第二压力值实质上相等于第一压力值。依据本实施例的另一方面，技术可还包括提供一流体通道，其中流体区域通过流体通道而使流体流通于第一凹槽。依据本实施例的又一方面，平台可包括一平台本体，其中流体区域通过平台主体 而与第一凹槽隔开，且其中流体通道可提供于平台主体内。依据本实施例的其他方面，技术可还包括一接地引脚，用以连接基材于地面，其 中流体通道可提供于接地引脚内。依据本实施例的其他方面，接地引脚可还包括一引脚主体与一套管，其中流体通 道可提供于套管内。依据本实施例的其他方面，流体通道可为一沟槽的形式，配置于套管的外表面上。依据本实施例的其他方面，沟槽可为一螺旋状沟槽。将参照附图所示的范例性实施例更详细地描述本专利技术。虽然下文参照范例性实施 例来描述本专利技术，但应该理解本专利技术并不限于此。获得本案教导的本领域技术人员将意识 到落在本专利技术范围内且本专利技术对其特别有用的其他实施方式、变更、实施例及其他使用领 域。附图说明为了便于更好地理解本专利技术，现在参照附图，其中相似的标号表示相似的元件。这 些附图不应解释为限制本专利技术，而旨在作为范例性的解释。图1绘示现有的一种束线离子植入系统的方块图。图2绘示现有的一种等离子体掺杂或等离子体浸没离子植入系统的方块图。图3A是根据本专利技术的一实施例的一种包括一或多个接地电路的平台的方块图。图3B是根据本专利技术的一实施例的一邻近接地电路的平台的详细示意图。图4是根据本专利技术的一实施例的一种用以降低粒子污染的平台的横剖面示意图。图5是根据本专利技术的另一实施例的一种用以降低粒子污染的平台的横剖面示意 图。图6A至图6D是根据本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种平台，于处理一基材时用以支撑该基材，该平台包括：一平台主体，包括一第一凹陷与一第二凹陷，该第一凹陷定义出一流体区域，以保持流体而将基材的温度维持在一预定温度，该第二凹陷定义出一第一凹槽，以保持一接地电路；以及一第一介层窗，定义于该平台主体内，该第一介层窗具有一第一开口与一第二开口，该第一开口邻近该流体区域，该第二开口邻近该第一凹槽；其中该流体区域的压力值维持在一准位，且该准位实质上相等于该第一凹槽的压力值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大卫·苏若恩，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：US