用于制造太阳能电池的锗富集的硅材料制造技术

本发明专利技术描述了利用各种等级的硅进料来形成硅锭和硅晶体的技术。共同的特征是将预定量的锗加入到熔体中并进行结晶以将锗并入各自的晶体硅材料的硅晶格中。这样并入的锗导致各自的硅材料特性的改进，主要是增加的材料强度。这导致在太阳能电池制造中应用这样的材料时和由那些太阳能电池制造模件时的积极效果。具有在（５０－２００）ｐｐｍｗ范围内的锗浓度的硅材料呈现出增加的材料强度，其中最佳实施范围取决于生产的材料质量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术公开内容涉及例如利用低等级硅用于制造半导体材料如硅的方法和系 统。更具体地，本专利技术公开内容涉及一种利用各种等级的进料材料(原材料，feedstock material)和锗富集物来形成具有改进的特性，包括更高的强度和挠性(flexibility)的 硅晶体或硅锭的方法和系统。
技术介绍
光伏(PV)工业正快速增长，并且是造成消耗超出更传统的用途如集成电路(IC) 应用的硅的量增加的原因。今天，太阳能电池工业的硅需求与IC工业的硅需求有部分竞 争。采用目前的制造技术，IC和PV工业二者都需要作为原料硅起始材料的精制的、纯化的 硅进料(原料，feedstock)。对于大部分目前的太阳能电池的材料备选方案的范围可从单晶硅片(硅晶片) (如基于非常纯净的原料硅如IC工业所需的电子级(EG)硅进料)到多晶(mc)硅片，所述 多晶(mc)硅片基于不是那么纯净的原料硅如所谓的太阳能级(SOG)硅进料或甚至更低质 量的材料，其称为高纯冶金级(冶金法太阳能级)(UMG)硅进料。用于PV工业的低等级进料材料，如UMG硅，通常被加工成mc-硅的锭和晶片，其 中最终的太阳能电池相关质量通常由本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于形成具有改进的机械和电特性的晶体硅的方法，包括以下步骤：利用预定量的硅进料材料引发硅结晶过程；向所述硅进料材料中加入具有最低纯度水平为９９．９９％的预定量的锗；由各自的硅进料材料和所述量的锗产生熔体；以及进行所述熔体的结晶。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗里茨·基尔施特，
申请(专利权)人：卡里太阳能公司，
类型：发明
国别省市：US