本发明描述了利用各种等级的硅进料来形成硅锭和硅晶体的技术。共同的特征是将预定量的锗加入到熔体中并进行结晶以将锗并入各自的晶体硅材料的硅晶格中。这样并入的锗导致各自的硅材料特性的改进，主要是增加的材料强度。这导致在太阳能电池制造中应用这样...

本发明披露了由升级的冶金级硅形成太阳能电池器件，其已接受至少一种缺陷设计工艺，并包括低接触电阻电路径。抗反射涂层形成于发射极层上而背接触形成于本体硅衬底的背面上。该光伏器件可以在可避免先前缺陷设计工艺逆转的足够低的温度下烧制形成背面电场...