半导体器件以及制造方法技术

本发明专利技术涉及一种器件（１０），其包括：具有前表面（１４）和后表面（２４）的衬底（１２）；提供在衬底的前表面上的半导体元件（１６）；第一钝化层（１８）；以及提供在衬底的后表面上的第二钝化层（２２）。本发明专利技术还涉及一种制造这样的器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种器件，具体而言涉及经钝化的半导体器件，并且涉及一种制造这 样的器件的方法。
技术介绍
可以钝化半导体器件，以使它们处于非活跃状态或者反应性较低或者保护它们免 受由涂敷或表面处理所造成的污染的影响，或者用以降低泄露电流。美国专利申请公开号US 2002/0000510A1 (Matsuda)公开了一种光电探测器，其 包括堆叠在衬底上的半导体导电层、光吸收层和宽能带隙层。此外，在衬底上依次沉积有 SiN钝化膜和SiO2介电膜。另外，在介电膜上设有焊盘电极。然而，在例如GaN激光器中观察到的一个问题是，在钝化之后，器件的电气性能显 著降低。
技术实现思路
本专利技术的一个目标是至少部分克服该问题，并且提供在钝化后同样具有更为适当 的器件特性的改进的半导体器件。将从以下描述中显现的这一目标和其他目标是通过根据随附独立权利要求的器 件和方法来实现的。根据本专利技术的一个方面，提供有一种器件，其包括具有前表面和后表面的衬底； 提供于衬底的前表面上的半导体元件；第一钝化层；以及提供于衬底的后表面上的第二钝化层。如从本专利技术人所进行的实验中了解到的那样，上述器件性能的降低主要是由钝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件（１０），包括：　　－衬底（１２），其具有前表面（１４）和后表面（２４）；　　－半导体元件（１６），其提供在所述衬底的所述前表面上；　　－第一钝化层（１８）；以及　　－第二钝化层（２２），其提供在所述衬底的所述后表面上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·H·克鲁特维杰克，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL