具有类似漏斗的沟槽结构的太阳能电池制造技术

技术编号:7134479 阅读:260 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种包括一个或更多个太阳能电池的容积式太阳能结构。该太阳能结构包括具有图案化表面的第一导电类型的半导体衬底,该图案限定了类似漏斗形状的间隔开的沟槽的阵列,以及第二相反导电类型的材料层,其至少位于衬底的图案化表面的一部分上。该结构因此限定了结区,在这些结区中通过该结构所暴露于的入射辐射能来产生电荷载流子。这些结区位于衬底的图案化表面上的不同高度处。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及太阳能电池及其制造方法。
技术介绍
利用将光能转化为有用的电能的太阳能电池是众所周知的。进入到这些太阳能电 池的光被吸收,由此产生电子-空穴对,随后,通过由太阳能电池结产生的电场空间性地分 离电子-空穴对,并在太阳能电池的各个触点处(例如顶面和底面)收集电子-空穴对。例 如,在n-p型太阳能电池中,电子将向顶面行进,随后在该顶面处电子将被位于该顶面上的 金属栅格收集。另一方面,空穴将向太阳能电池的底面行进,在底面处空穴可以被覆盖整个 底面的金属板收集。收集概率描述了器件的某一区域中吸收的光生载流子将被p-n结收集并且因此 对光生电流做出贡献的概率。收集概率取决于与扩散长度相比,光生载流子必须行进的距 离,且取决于器件的表面特性。耗尽区中产生的载流子的收集概率是1,这是因为电子-空 穴对迅速地被电场扫描分离并被收集。远离结,收集概率降低。如果载流子产生在距离结 大于扩散长度处,那么对这种载流子的收集概率就非常低。类似地,如果载流子产生在比结 更靠近具有更高复合的区域处,那么载流子将复合。业内公知一些不同类型的太阳能电池及制造太阳能电池的方法。太阳能电池制造 商不断追求本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括一个或更多个太阳能电池的容积式结构,该结构包括:具有图案化表面的第一导电类型的半导体衬底,该图案限定了类似漏斗形状的间隔开的沟槽的阵列;以及第二相反导电类型的材料层,其至少位于所述衬底的所述图案化表面的一部分上,由此,该结构限定了结区,在这些结区中通过该结构所暴露于的入射辐射能产生电荷载流子,所述结区位于所述衬底的所述图案化表面上的不同高度处。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:约瑟夫·夏皮尔
申请(专利权)人:耶路撒冷希伯来大学伊森姆研究发展公司
类型:发明
国别省市:IL

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