在冶金级Ｓｉ衬底上基于外延晶体硅薄膜的太阳能异质结电池设计制造技术

本发明专利技术的一种实施方式提供一种异质结太阳能电池。所述太阳能电池包括：冶金级硅（ＭＧ－Ｓｉ）衬底；位于冶金级硅（ＭＧ－Ｓｉ）衬底之上的重掺杂晶体硅层；位于重掺杂晶体硅层之上的轻掺杂晶体硅层；位于ＭＧ－Ｓｉ衬底背侧上的背侧欧姆接触层；位于重掺杂晶体硅层之上的钝化层；位于钝化层之上的重掺杂非晶硅（ａ－Ｓｉ）层；位于重掺杂ａ－Ｓｉ层之上的透明导电氧化物（ＴＣＯ）层；以及位于ＴＣＯ层之上的前欧姆接触电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及太阳能电池。更具体而言，本专利技术涉及在冶金级硅(MG-Si)衬底上使用外延沉积晶体硅薄膜制造的异质结太阳能电池。
技术介绍
由使用矿物燃料导致的负面环境影响和其上升的成本已导致对更为洁净、廉价替代能源的急切需求。在不同形式的替代能源中，太阳能因其洁净和广泛可用性而受到欣赏。太阳能电池利用光电效应将光转换成电。有一些基本的太阳能电池结构，包括单 p-n结、p-i-n/n-i-p以及多结。典型的单p_n结结构包括ρ型掺杂层和η型掺杂层。单 ρ-η结太阳能电池有同质结和异质结两种结构。如果ρ型掺杂层和η型掺杂层都由相似材料(材料的带隙相等)构成，则该太阳能电池称为同质结太阳能电池。相反，异质结太阳能电池包括具有不同带隙的至少两层材料。p-i-n/n-i-p结构包括ρ型掺杂层、η型掺杂层和夹于P层和η层之间的本征(未掺杂)半导体层(i层)。多结结构包括具有不同带隙的堆叠于彼此顶上的多个单结结构。在太阳能电池中，光在p-n结附近被吸收产生载流子。载流子扩散进入所述p-n 结并被内建电场分开，从而生成穿过所述器件和外部电路系统的电流。确定太阳能电池质量的一个重要标准是其能量转换本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种制造异质结太阳能电池的方法，包括：在冶金级硅（ＭＧ－Ｓｉ）衬底的表面上沉积重掺杂晶体硅层；沉积轻掺杂晶体硅层；形成背侧欧姆接触层；沉积钝化层；沉积重掺杂非晶硅（ａ－Ｓｉ）层；沉积透明导电氧化物（ＴＣＯ）层；以及形成前欧姆接触电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：游晨涛，
申请(专利权)人：杭州赛昂电力有限公司，
类型：发明
国别省市：86