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本发明的一种实施方式提供一种异质结太阳能电池。所述太阳能电池包括：冶金级硅（ＭＧ－Ｓｉ）衬底；位于冶金级硅（ＭＧ－Ｓｉ）衬底之上的重掺杂晶体硅层；位于重掺杂晶体硅层之上的轻掺杂晶体硅层；位于ＭＧ－Ｓｉ衬底背侧上的背侧欧姆接触层；位于重掺杂晶...
该专利属于杭州赛昂电力有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州赛昂电力有限公司授权不得商用。

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