【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】技术区域本专利技术涉及背面接合型的。
技术介绍
太阳能电池，由于能够将绿色且取之不尽地供给的太阳光直接转换为电力，因此作为新能源被寄予期待。在现有技术中提案有基板的背面上具备多个P侧电极和多个η侧电极，即所谓的背面接合型的太阳能电池(例如参照专利文献1)。专利文献1中所记载的太阳能电池由以下方法制造。首先，清洗基板的背面。然后在基板的背面设置规定图案的第一掩膜，依次形成i型半导体层、P型半导体层和P侧电极。然后除去第一掩膜，以从基板的背面上至P侧电极上的方式依次形成i型半导体层和 η型半导体层。然后在η型半导体层上设置第二掩膜，形成η侧电极。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2005-101151号公报(第段，图2)
技术实现思路
此处，为了抑制在基板背面的载流子的复合，优选在依次形成i型半导体层和η型半导体层之前，在基板的背面之中设置有第一掩膜的区域实施清洗处理。但是，当在P侧电极形成后进行例如湿式蚀刻处理这样的清洗处理时，因被离子化的P侧电极的构成物质而导致基板的背面被污染。另外，如果在P侧电极形成前进行清洗处理，在P侧电极形成时，导致基板的背面被P侧电极的构...
【技术保护点】
１．一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，具备：在半导体基板的一个主面的第一区域上，形成具有第一导电型的第一半导体层的工序Ａ；清洗所述一个主面的第二区域的工序Ｂ；和从所述一个主面的所述第二区域上至所述第一半导体层上，形成具有第二导电型的第二半导体层的工序Ｃ。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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