太阳能电池的制造方法技术

在太阳能电池（１００）的制造方法中，在ｉ型非晶质半导体层（１１ｉ）和ｐ型非晶质半导体层（１１ｐ）的图像化工序之后，ｉ型非晶质半导体层（１２ｉ）的形成工序之前，具备ｎ型结晶硅基板（１０ｎ）的背面中露出区域（Ｒ２）的清洗工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】技术区域本专利技术涉及背面接合型的。
技术介绍
太阳能电池，由于能够将绿色且取之不尽地供给的太阳光直接转换为电力，因此作为新能源被寄予期待。在现有技术中提案有基板的背面上具备多个P侧电极和多个η侧电极，即所谓的背面接合型的太阳能电池(例如参照专利文献1)。专利文献1中所记载的太阳能电池由以下方法制造。首先，清洗基板的背面。然后在基板的背面设置规定图案的第一掩膜，依次形成i型半导体层、P型半导体层和P侧电极。然后除去第一掩膜，以从基板的背面上至P侧电极上的方式依次形成i型半导体层和 η型半导体层。然后在η型半导体层上设置第二掩膜，形成η侧电极。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2005-101151号公报(第段，图2)
技术实现思路
此处，为了抑制在基板背面的载流子的复合，优选在依次形成i型半导体层和η型半导体层之前，在基板的背面之中设置有第一掩膜的区域实施清洗处理。但是，当在P侧电极形成后进行例如湿式蚀刻处理这样的清洗处理时，因被离子化的P侧电极的构成物质而导致基板的背面被污染。另外，如果在P侧电极形成前进行清洗处理，在P侧电极形成时，导致基板的背面被P侧电极的构成物质污染。因此，在专利文献1所记载的方法中，充分抑制基板背面的载流子的复合是困难的。本专利技术是鉴于上述状况而完成的，本专利技术的目的在于提供能够抑制载流子的复合的。本专利技术的特征的的要旨是，具备在半导体基板的一个主面的第一区域上，形成具有第一导电型的第一半导体层的工序A ；清洗上述一个主面的第二区域的工序B ；和从上述一个主面的上述第二区域上至上述第一半导体层上，形成具有第二导电型的第二半导体层的工序C。根据本专利技术的特征的，能够在清洗一个主面之中的第二区域上之后，在第二区域上形成第二半导体层。由此在半导体基板的一个主面与第二半导体层的界面能够抑制载流子的复合。在本专利技术的特征的中，上述工序A含有在上述一个主面的大致整个面，形成具有上述第一导电型的第三半导体层的工序；用抗蚀剂膜覆盖在上述第三半导体层之中形成在上述第一区域上的部分的工序；除去在上述第三半导体层之中从上述抗蚀剂膜露出的部分的工序；和除去上述抗蚀剂膜的工序。在本专利技术的特征的中，可以在上述工序A和上述工序B之间，还具备在上述第一半导体层上形成复合层的工序，在上述工序C中，从上述第二区域上至上述复合层上，形成上述第二半导体层。在本专利技术的特征的中，上述半导体基板可以具有第一导电型。在本专利技术的特征的中，上述复合层是具有第一导电型的半导体层，上述半导体层含有的第一导电型的杂质的量，比上述第一半导体层含有的第一导电型的杂质的量多。在本专利技术的特征的中，上述复合层可以是将异种元素混入上述第一半导体层而形成的层。在本专利技术的特征的中，上述复合层，可以是微晶半导体层， 上述第一半导体层和上述第二半导体层是非晶质半导体层。在本专利技术的特征的中，上述复合层的厚度可以为1 IOnm0根据本专利技术，能够提供能抑制载流子的复合的。 附图说明图1是涉及本专利技术第一实施方式的太阳能电池100的背面侧的平面图。图2是图1的A-A线的扩大截面图。图3是用于说明本专利技术的第一实施方式的太阳能电池10的制造方法的附图。图4是用于说明本专利技术的第一实施方式的太阳能电池10的制造方法的附图。图5是用于说明本专利技术的第一实施方式的太阳能电池10的制造方法的附图。图6是用于说明本专利技术的第一实施方式的太阳能电池10的制造方法的附图。图7是用于说明本专利技术的第二实施方式的太阳能电池100的扩大截面图。图8是用于说明本专利技术的第二实施方式的太阳能电池10的制造方法的附图。图9是用于说明本专利技术的第二实施方式的太阳能电池10的制造方法的附图。图10是用于说明本专利技术的第二实施方式的太阳能电池10的制造方法的附图。图11是用于说明本专利技术的第二实施方式的太阳能电池10的制造方法的附图。具体实施例方式在下面使用附图对本专利技术的实施方式进行说明。在以下的附图的记载中，对相同或类似的部分，附加相同或类似的符号。附图是示意图，应当留意各尺寸的比例等与现实情况不同。因此，对于具体的尺寸等，应当参考以下说明进行判断。另外在附图相互之间当然也包含相互间的尺寸关系、比例不同的部分。(太阳能电池的结构)对于本专利技术的第一实施方式的太阳能电池的结构，参照图1和图2进行说明。图 1是本专利技术第一实施方式的太阳能电池100的背面侧的平面图。图2是图1的A-A线的扩大截面图。如图1和图2所示，太阳能电池100具备n型结晶硅基板IOrui型非晶质半导体层lli、P型非晶质半导体层lip、i型非晶质半导体层12i、η型非晶质半导体层12η、ρ侧电极20ρ和η侧电极20η。η型结晶硅基板10η，由薄板状的单结晶硅或多结晶硅构成。η型结晶硅基板IOn 具有接受太阳光的受光面，和在受光面的相反侧设置的背面。η型结晶硅基板10η，由于在受光面受光而生成光生载流子。光生载流子是光被η型结晶硅基板IOn吸收而生成的空穴和电子。并且，虽然未图示但应留意在η型结晶硅基板IOn的受光面中没有形成遮蔽光的入射的结构体(例如电极等)，能够在受光面的整个面受光。i型非晶质半导体层lli，沿第一方向形成在η型结晶硅基板IOn的背面上。i型非晶质半导体层Ili以不必积极地导入杂质的方式形成。i型非晶质半导体Ili的厚度为不在实质上对发电起作用的程度、例如数A 250A左右。ρ型非晶质半导体层Ilp沿第一方向形成在i型非晶质半导体层Ili上。P型非晶质半导体层Ilp具有P型的导电型。P型非晶质半导体层Ilp的厚度例如为IOnm左右。并且，虽然不形成i型非晶质半导体层Ili也可以，但是根据在η型结晶硅基板 IOn上依次形成i型非晶质半导体层Ili和ρ型非晶质半导体层Ilp的结构(所谓的“HIT 结构”)，由于能够改善pn结特性而作为优选。i型非晶质半导体层12i，以从η型结晶硅基板IOn的背面上至ρ型非晶质半导体层Ilp上的方式形成。在第一实施方式中，i型非晶质半导体层12i以覆盖η型结晶硅基板IOn的背面的大致整个面的方式形成。i型非晶质半导体层12i以不必积极地导入杂质的方式形成。i型非晶质半导体层12i的厚度例如为数A 250A左右。η型非晶质半导体层12η形成在i型非晶质半导体层12i上。在第一实施方式中， η型非晶质半导体层12η以覆盖i型非晶质半导体层12i的方式形成。η型非晶质半导体层12η具有与ρ型非晶质半导体层Ilp不同的η型的导电型。η型非晶质半导体层12η的厚度例如为IOnm左右。并且，根据在η型结晶硅基板IOn上形成η型非晶质半导体层12η的结构(所谓的“BSF结构”)，能够抑制在η型结晶硅基板IOn的背面与非晶质半导体层的界面中的少数载流子的复合。并且，根据在η型结晶硅基板IOn的背面与η型非晶质半导体层12η之间插入(存在)薄的i型非晶质半导体层12i的结构，能够改善η型结晶硅基板IOn的背面与η型非晶质半导体层12η之间的特性。此处，i型非晶质半导体层lli、i型非晶质半导体层12i、p型非晶质半导体层Ilp和η型非晶质半导体层12η，分别能够由含有硅的非晶质半导体构成。作为这样的非晶质半导体，虽然能够例举非晶质硅、非晶质碳化硅、或非晶质硅锗(〉U 二 > 7 二々Λ ) 等，但不仅限于此，也本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，具备：在半导体基板的一个主面的第一区域上，形成具有第一导电型的第一半导体层的工序Ａ；清洗所述一个主面的第二区域的工序Ｂ；和从所述一个主面的所述第二区域上至所述第一半导体层上，形成具有第二导电型的第二半导体层的工序Ｃ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：高滨豪，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP