【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体涉及半导体技术，具体涉及功率半导体装置及其制造方法。
技术介绍
几种类型的功率半导体装置(如晶体管和二极管)均包括竖直装置。竖直装置通常包括形成于半导体基板的半导体外延层中的台面结构，其中该台面通过布置在外延层中且在台面周围的一个或多个沟槽限定。可控电流沿着大体与外延层和半导体基板的表面垂直的(如，竖直的)方向从台面顶部流到台面底部。竖直装置通常具有电流流过电阻量低的台面的开启(ON)状态、以及除了极少的泄漏电流以外电流流动基本上受到抑制的关闭 (OFF)状态。在OFF状态下，在抑制电流流动的同时可通过该台面承受的电压可非常高，比如在几十伏的范围内。然而，因为半导体材料中发生的各种过程，诸如载流子雪崩(carrier avalanche)，在OFF状态下抑制电流的能力在一定电压(通常被称为击穿电压)水平下失效。需要继续对沟槽屏蔽式功率半导体装置的可靠性和性能进行改进。这包括提升上述击穿电压的值以及改进台面中形成的装置的电特性。
技术实现思路
本申请的第一专利技术涉及一种沟槽屏蔽式半导体装置。其第一一般示例性实施方式主要包括具有表面的半导体区；该半导体...
【技术保护点】
１．一种半导体装置，包括：具有表面的半导体区；所述半导体区的第一区域；第一传导类型的阱区，布置在所述半导体区内且围绕所述第一区域；以及延伸入半导体区的多个沟槽，每个沟槽均具有：布置在所述阱区的第一部分中的第一端、布置在所述阱区的第二部分中的第二端、以及在所述第一与第二端之间且布置在所述第一区域中的中间部分，每个沟槽还具有衬以介电层的相对侧壁，以及布置在所述介电层的至少一部分上的传导电极。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯·E·格雷布斯，
申请(专利权)人：飞兆半导体公司，
类型：发明
国别省市：US
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