半导体材料外延的废气中所含砷微粒的回收设备制造技术

本发明专利技术是能够回收半导体材料外延过程所产生废气中剧毒物质砷微粒的设备。由密封桶、放水口、隔板、进气管、桶底、旋转轴、导流板、离心桶、桶盖、排气管、进水管、喷头、吸泵、填充物、电机组成。采用水与废气反向流动，通过无规则排列的的填充物增加接触机会，使废气中的砷等有害蒸汽有效冷凝被水携带走，减少大气排入量。水通过导流板引入高速旋转的离心桶，在离心力作用下悬浮在水中的固态微颗粒将聚集在离心桶底部边缘。水不断经导流板流入离心桶并由其上沿溢出，自吸泵实现循环使用。定期清理离心桶集中收集处理有害物质。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于一种环境保护设备，特别是涉及一种能够有效回收半导体材料外延过程所产生废气中剧毒物质砷微粒的设备。目前，随着电子工业技术的发展，各类半导体材料制备手段得到了飞速发展，特别是各种半导体材料的外延系统被工厂、科研院所、大专院校实验室广泛使用。在诸多外延材料中，大量工作集中在含砷的III-V族半导体材料体系。此外，砷也是化工，建材等行业的重要原料及填加剂。众所周知，砷是一种剧毒物质，国家对砷的处理有明确规定，严格要求砷要以固态形式回收处理。在半导体外延，化工、建材等生产过程中，往往是高温条件下使用砷，这就难免产生大量的砷蒸汽而排入大气，有害人身健康，污染环境。已有技术通过强氧化剂水溶液喷淋使砷蒸汽等反应、冷凝为固体并沉淀，可大大减少其向空中的排入量。但对于体积小、重量轻的微粒往往不能有效收集。在冷凝循环水管路系统中设计加入很大的沉淀池可以使微小颗粒沉淀，但需要很大的空间，在很多场合难于实现。本专利技术的目的是克服已有技术的不能有效收集体积小、重量轻的砷微粒的问题，提供一种具有结构简单，成本低廉、容易制造、能够有效回收半导体材料外延过程所产生的废气中的剧毒物质砷微粒的设备。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学气相淀积系统尾气处理系统中，半导体材料外延的废气中所含砷微粒的回收设备，其特征在于：它包括外密封桶１、循环水出口２、放水口３、隔板４、进气管５、密封桶底６、旋转轴７、导流板８、离心桶９、密封桶上盖１０、排气管１１、进水管１２、莲蓬喷头１３、自吸泵１４、填充物１５、电动机１６，外密封桶１用带有很多小孔的隔板４分为上下两部分，密封桶上盖１０留出排气孔１１及进水管１２，外密封桶１的上半空间填充大量沿轴线劈开且侧壁有填充物１５，在外密封桶１上半空间的上部安装莲蓬喷头１３，在外密封桶１的下半空间内部安装高速旋转离心桶９，离心桶９外形为圆台形，离心桶９的桶底中部向上突起呈锥形，且锥顶高于桶外壁...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋航，周天明，张宝林，蒋红，金亿鑫，缪国庆，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]